一种高效率宽谱输出的单芯片多波长硅基激光器

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	一种高效率宽谱输出的单芯片多波长硅基激光器
其他题名	一种高效率宽谱输出的单芯片多波长硅基激光器
	刘磊; 肖希; 王磊; 邱英; 杨奇; 余金中; 余少华
	2016-02-03
专利权人	武汉邮电科学研究院
公开日期	2016-02-03
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种高效率宽谱输出的单芯片多波长硅基激光器，涉及半导体光电子器件技术领域。本发明的硅衬底层上分为绝缘区和光源区，绝缘区上设置有模斑变换器和谐振器，光源区设置有2个以上的光源芯片。本发明能够将多个输出中心波长不同的光源芯片集成于一体，光源芯片输出的大尺寸高斯分布光斑能高效地耦合至模斑变换器中，并经过谐振器形成腔振荡，最终在硅波导中输出高效率和宽谱范围的激光。本发明能够直接从硅波导中高效输出宽谱多波长激光，不仅结构紧凑、工艺简单、功率效率和稳定性均较高，而且可商用化，在光互联、光通信、光谱测定以及光遥感等领域中具有广阔的应用前景。
其他摘要	本发明公开了一种高效率宽谱输出的单芯片多波长硅基激光器，涉及半导体光电子器件技术领域。本发明的硅衬底层上分为绝缘区和光源区，绝缘区上设置有模斑变换器和谐振器，光源区设置有2个以上的光源芯片。本发明能够将多个输出中心波长不同的光源芯片集成于一体，光源芯片输出的大尺寸高斯分布光斑能高效地耦合至模斑变换器中，并经过谐振器形成腔振荡，最终在硅波导中输出高效率和宽谱范围的激光。本发明能够直接从硅波导中高效输出宽谱多波长激光，不仅结构紧凑、工艺简单、功率效率和稳定性均较高，而且可商用化，在光互联、光通信、光谱测定以及光遥感等领域中具有广阔的应用前景。
申请日期	2015-11-30
专利号	CN105305231A
专利状态	失效
申请号	CN201510859294
公开（公告）号	CN105305231A
IPC 分类号	H01S5/40 \| H01S5/024 \| H01S5/06
专利代理人	王卫东
代理机构	北京捷诚信通专利事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90066
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉邮电科学研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	刘磊,肖希,王磊,等. 一种高效率宽谱输出的单芯片多波长硅基激光器. CN105305231A[P]. 2016-02-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105305231A.PDF（645KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文