Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Cd1+xIn2－2xSnxO4/MgAl2O4复合衬底材料及其制备方法 | |
| 其他题名 | Cd1+xIn2－2xSnxO4/MgAl2O4复合衬底材料及其制备方法 |
| 夏长泰; 张俊刚; 徐军; 周国清; 吴锋; 彭观良 | |
| 2005-04-27 | |
| 专利权人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 公开日期 | 2005-04-27 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种Cd1+xIn2－2xSnxO4/MgAl2O4复合衬底材料及其制备方法，本发明的Cd1+xIn2－2xSnxO4/MgAl2O4复合衬底材料实际上是在MgAl2O4上设有一层Cd1+xIn2－2xSnxO4而构成，其制备方法主要是利用脉冲激光淀积方法在MgAl2O4单晶衬底上制备Cd1+xIn2－2xSnxO4薄膜，通过高温退火，在MgAl2O4单晶衬底上形成Cd1+xIn2－2xSnx O4单晶覆盖层。该方法的制备工艺简单，易操作，适用于基蓝光半导体外延生长。 |
| 其他摘要 | 一种Cd1+xIn2－2xSnxO4/MgAl2O4复合衬底材料及其制备方法，本发明的Cd1+xIn2－2xSnxO4/MgAl2O4复合衬底材料实际上是在MgAl2O4上设有一层Cd1+xIn2－2xSnxO4而构成，其制备方法主要是利用脉冲激光淀积方法在MgAl2O4单晶衬底上制备Cd1+xIn2－2xSnxO4薄膜，通过高温退火，在MgAl2O4单晶衬底上形成Cd1+xIn2－2xSnx O4单晶覆盖层。该方法的制备工艺简单，易操作，适用于基蓝光半导体外延生长。 |
| 申请日期 | 2004-10-13 |
| 专利号 | CN1610057A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200410067132.2 |
| 公开（公告）号 | CN1610057A |
| IPC 分类号 | H01L21/00 | H01L33/00 | H01L33/26 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 张泽纯 |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90049 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 夏长泰,张俊刚,徐军,等. Cd1+xIn2－2xSnxO4/MgAl2O4复合衬底材料及其制备方法. CN1610057A[P]. 2005-04-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1610057A.PDF（456KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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