氮化物半导体；使用该半导体的发光器件,发光二极管,激光器件和灯；及其制造方法

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	氮化物半导体；使用该半导体的发光器件,发光二极管,激光器件和灯；及其制造方法
其他题名	氮化物半导体；使用该半导体的发光器件,发光二极管,激光器件和灯；及其制造方法
	小早川真人; 友泽秀喜; 奥山峰夫
	2006-11-15
专利权人	丰田合成株式会社
公开日期	2006-11-15
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明的一个目的是提供氮化物半导体产品，该产品没有导致反向耐电压的时间相关的降低并且保持较好的初始反向耐电压。本发明的氮化物半导体产品包括n型层，发光层和p型层，所述各层由氮化物半导体形成并以上述次序顺序层叠在衬底上，所述发光层具有量子阱结构，其中阱层夹在具有比所述阱层的带隙宽的带隙的势垒层之间，其中每个势垒层包括：在比所述阱层的生长温度高的温度下生长的势垒子层C，和在比所述势垒子层C的生长温度低的温度下生长的势垒子层E，并且所述势垒子层C相对于所述势垒子层E设置靠近所述衬底。
其他摘要	本发明的一个目的是提供氮化物半导体产品，该产品没有导致反向耐电压的时间相关的降低并且保持较好的初始反向耐电压。本发明的氮化物半导体产品包括n型层，发光层和p型层，所述各层由氮化物半导体形成并以上述次序顺序层叠在衬底上，所述发光层具有量子阱结构，其中阱层夹在具有比所述阱层的带隙宽的带隙的势垒层之间，其中每个势垒层包括：在比所述阱层的生长温度高的温度下生长的势垒子层C，和在比所述势垒子层C的生长温度低的温度下生长的势垒子层E，并且所述势垒子层C相对于所述势垒子层E设置靠近所述衬底。
申请日期	2004-10-01
专利号	CN1864277A
专利状态	授权
申请号	CN200480028833.3
公开（公告）号	CN1864277A
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01S5/30 \| H01S5/34 \| H01S5/343
专利代理人	杨晓光 \| 刘瑞东
代理机构	北京市中咨律师事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90043
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	丰田合成株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	小早川真人,友泽秀喜,奥山峰夫. 氮化物半导体；使用该半导体的发光器件,发光二极管,激光器件和灯；及其制造方法. CN1864277A[P]. 2006-11-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1864277A.PDF（1207KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文