基于氧化锌键合III-V族和硅混合型激光器结构和方法

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	基于氧化锌键合III-V族和硅混合型激光器结构和方法
其他题名	基于氧化锌键合III-V族和硅混合型激光器结构和方法
	许兴胜; 黄昕楠; 高永浩; 黎星云
	2015-05-20
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2015-05-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种基于氧化锌键合III-V族和硅混合型激光器结构和方法，所述方法包括：在硅片上制作硅波导；在硅波导一端深刻蚀键合区域，该键合区域沿着所述硅波导一端的方向延伸第一尺寸，垂直于硅波导方向延伸第二尺寸；并在所述键合区域以所述硅波导中心为轴线，两端分别延伸第三尺寸形成键合区域中心平台，将所述键合区域中心平台以外的键合区域刻蚀一定深度的凹槽形成深刻蚀区域；在表面旋涂氧化锌，之后再旋涂光刻胶，光刻曝光后显影去除所述深刻蚀区域的光刻胶，之后腐蚀掉所述深刻蚀区域的氧化锌；在表面旋涂光刻胶，显影去除深刻蚀区域以外的光刻胶；将III-V族激光器用键合到所述深刻蚀区域，出射端口对准硅波导的入射端口。
其他摘要	本发明公开了一种基于氧化锌键合III-V族和硅混合型激光器结构和方法，所述方法包括：在硅片上制作硅波导；在硅波导一端深刻蚀键合区域，该键合区域沿着所述硅波导一端的方向延伸第一尺寸，垂直于硅波导方向延伸第二尺寸；并在所述键合区域以所述硅波导中心为轴线，两端分别延伸第三尺寸形成键合区域中心平台，将所述键合区域中心平台以外的键合区域刻蚀一定深度的凹槽形成深刻蚀区域；在表面旋涂氧化锌，之后再旋涂光刻胶，光刻曝光后显影去除所述深刻蚀区域的光刻胶，之后腐蚀掉所述深刻蚀区域的氧化锌；在表面旋涂光刻胶，显影去除深刻蚀区域以外的光刻胶；将III-V族激光器用键合到所述深刻蚀区域，出射端口对准硅波导的入射端口。
申请日期	2015-02-13
专利号	CN104638515A
专利状态	授权
申请号	CN201510079793.5
公开（公告）号	CN104638515A
IPC 分类号	H01S5/30
专利代理人	宋焰琴
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90034
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	许兴胜,黄昕楠,高永浩,等. 基于氧化锌键合III-V族和硅混合型激光器结构和方法. CN104638515A[P]. 2015-05-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104638515A.PDF（394KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文