Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法 | |
其他题名 | 用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法 |
陈微; 周文君; 刘安金; 付非亚; 张建心; 渠红伟; 郑婉华 | |
2011-08-03 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2011-08-03 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 一种用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法,包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上依次生长下限制层、有源区和上限制层,形成横向波导结构;步骤3:采用感应耦合等离子体刻蚀的方法对上限制层进行刻蚀,在上限制层上形成周期性的条状结构,该条状结构的一部分为条状电流注入区,其余部分为光场调制区,结合这两个区便能实现侧向模式的调控;步骤4:在条状电流注入区的上面制作电极实现电流的选择性注入;步骤5:将衬底减薄,改善电流注入特性;步骤6:在衬底的背面制作背面电极,完成器件的制作。 |
其他摘要 | 一种用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法,包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上依次生长下限制层、有源区和上限制层,形成横向波导结构;步骤3:采用感应耦合等离子体刻蚀的方法对上限制层进行刻蚀,在上限制层上形成周期性的条状结构,该条状结构的一部分为条状电流注入区,其余部分为光场调制区,结合这两个区便能实现侧向模式的调控;步骤4:在条状电流注入区的上面制作电极实现电流的选择性注入;步骤5:将衬底减薄,改善电流注入特性;步骤6:在衬底的背面制作背面电极,完成器件的制作。 |
申请日期 | 2011-03-02 |
专利号 | CN102142657A |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201110049793 |
公开(公告)号 | CN102142657A |
IPC 分类号 | H01S5/22 |
专利代理人 | 汤保平 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90026 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈微,周文君,刘安金,等. 用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法. CN102142657A[P]. 2011-08-03. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN102142657A.PDF(464KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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