Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种包括SiC组合衬底的发光器件 | |
| 其他题名 | 一种包括SiC组合衬底的发光器件 |
| 虞浩辉; 周宇杭 | |
| 2013-03-06 | |
| 专利权人 | 江苏威纳德照明科技有限公司 |
| 公开日期 | 2013-03-06 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种发光器件包括组合衬底，该组合衬底包括：单晶碳化硅片；在单晶碳化硅片上有一层非晶氮化硅层，非晶氮化硅层的厚度优选为200～800nm；在非晶氮化硅层上有一层单晶氮化硅薄膜，单晶氮化硅薄膜包括多个周期性排列的阵列单元，单晶氮化硅薄膜的厚度优选为10～30nm，每个阵列单元的尺寸优选为200×200nm2～1000×1000nm2，每个阵列单元之间的间隔优选为50～300nm。本发明的组合衬底具有加工方便，成本低廉的特点。同时生长的GaN外延层中位错密度非常低，可大面积生长较大厚度的GaN外延层。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种发光器件包括组合衬底，该组合衬底包括：单晶碳化硅片；在单晶碳化硅片上有一层非晶氮化硅层，非晶氮化硅层的厚度优选为200～800nm；在非晶氮化硅层上有一层单晶氮化硅薄膜，单晶氮化硅薄膜包括多个周期性排列的阵列单元，单晶氮化硅薄膜的厚度优选为10～30nm，每个阵列单元的尺寸优选为200×200nm2～1000×1000nm2，每个阵列单元之间的间隔优选为50～300nm。本发明的组合衬底具有加工方便，成本低廉的特点。同时生长的GaN外延层中位错密度非常低，可大面积生长较大厚度的GaN外延层。 |
| 申请日期 | 2012-10-26 |
| 专利号 | CN102956772A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201210418576.0 |
| 公开（公告）号 | CN102956772A |
| IPC 分类号 | H01L33/12 | H01S5/02 |
| 专利代理人 | 黄明哲 |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90019 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 江苏威纳德照明科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 虞浩辉,周宇杭. 一种包括SiC组合衬底的发光器件. CN102956772A[P]. 2013-03-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102956772A.PDF（212KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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