Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 開 達郎; 中尾 亮; 松尾 慎治; 相原 卓磨; 土澤 泰 | |
| 2019-05-30 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 2019-05-30 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】化合物半導体層におけるレーザの部分の温度上昇が防げるようにする。 【解決手段】基板101の上に形成された下部クラッド層102と、下部クラッド層102の上に形成されたシリコンからなるシリコン層103と、シリコン層103の上に形成された化合物半導体からなる化合物半導体層105と、化合物半導体層105の上に形成された上部クラッド層106と、化合物半導体層105に形成されたレーザ部107とを備える。下部クラッド層102および上部クラッド層106の少なくとも一方が、SiCから構成されている。 【選択図】 図1 |
| 其他摘要 | 本发明的目的是防止化合物半导体层中的激光部分的温度升高。 形成在基板上的下包层，在下包层上形成的由硅形成的硅层，以及在硅层上形成的化合物半导体形成的化合物提供半导体层105，形成在化合物半导体层105上的上覆层106，以及形成在化合物半导体层105上的激光部分107。下包覆层102和上包覆层106中的至少一个由SiC制成。 [选图]图1 |
| 申请日期 | 2017-10-31 |
| 专利号 | JP2019083268A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | JP2017210054 |
| 公开（公告）号 | JP2019083268A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 山川 茂樹 | 小池 勇三 | 山川 政樹 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89918 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 開 達郎,中尾 亮,松尾 慎治,等. 半導体レーザ. JP2019083268A[P]. 2019-05-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2019083268A.PDF（65KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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