Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| HORIKOSHI YOSHIHARU; KAWASHIMA MINORU | |
| 1980-06-04 | |
| 专利权人 | NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE |
| 公开日期 | 1980-06-04 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To reduce a threshold value of a current by concentrating a current into a portion of an active layer by untilizing the spread resistance of the active layer. CONSTITUTION:On a p-type crystal substrate 1, an n-type layer 2 wherein the width of a forbidden band which is to become a clad layer is E1 and the refractive index is n1, a p-type layer 3 wherein the width of a forbidden band which is to become an active layer is E2 and the refractive index is n2, and an n-type layer 4 wherein the width of a forbidden band which is to become a clad layer is E3 and the refractive index is n3 are epitaxially grown sequentially. In this case, n2>n1, n3; E2 |
| 其他摘要 | 目的：通过直到有源层的扩展电阻为止，通过将电流集中到有源层的一部分来减小电流的阈值。构成：在P型晶体基板1上形成成为包层的禁带宽度为E1，折射率为n1的n型层2，p型层3的宽度为成为活性层的禁带为E2，折射率为n2，形成包层的禁带宽度为E3，折射率为n3的n型层4外延依次生长。在这种情况下，n2> n1，n3;E2 |
| 申请日期 | 1978-11-30 |
| 专利号 | JP1980074196A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1978147253 |
| 公开（公告）号 | JP1980074196A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89837 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HORIKOSHI YOSHIHARU,KAWASHIMA MINORU. Semiconductor laser. JP1980074196A[P]. 1980-06-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1981053877B2.PDF（124KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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