Manufacture of semiconductor laser element

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	Manufacture of semiconductor laser element
其他题名	Manufacture of semiconductor laser element
	FUKUDA HIROKAZU; SHINOHARA KOUJI; YOSHIKAWA MITSUO; ITOU MICHIHARU
	1981-02-21
专利权人	FUJITSU LTD
公开日期	1981-02-21
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To improve the adhesion between a substrate and an electrode in a semiconductor laser element by forming the surface of an Au electrode on an anode oxide film becoming an insulating film in flat and smooth state without rugged state. CONSTITUTION:A buffer layer 2, an active layer 3 and a top layer 4 are formed by liquid phase epitaxial process on a PbTe substrate Thereafter, the substrate is mesa etched in predetermined size, the contact portion A between the substrate and the electrode is then removed to form an anode oxide film 7 on the surface of the substrate. Then, the substrate formed with the film 7 is heated in nitrogen or argon gas atmosphere of high purity. In this manner, the anode oxide film 7 becomes dense.
其他摘要	用途：通过在阳极氧化膜上形成Au电极的表面，使其成为平坦和平滑状态的绝缘膜而没有粗糙状态，从而改善半导体激光器元件中基板和电极之间的粘附性。组成：缓冲层2，活性层3和顶层4通过液相外延工艺在PbTe衬底1上形成。此后，基板被预定尺寸的台面蚀刻，基板和电极之间的接触部分A然后除去，在基板表面上形成阳极氧化膜7。然后，将形成有膜7的基板在高纯度的氮气或氩气气氛中加热。以这种方式，阳极氧化膜7变得致密。
申请日期	1979-07-24
专利号	JP1981018485A
专利状态	失效
申请号	JP1979094775
公开（公告）号	JP1981018485A
IPC 分类号	H01L21/28 \| H01L21/208 \| H01L21/316 \| H01L21/469 \| H01L21/477 \| H01S5/00 \| H01L21/368
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89833
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	FUKUDA HIROKAZU,SHINOHARA KOUJI,YOSHIKAWA MITSUO,et al. Manufacture of semiconductor laser element. JP1981018485A[P]. 1981-02-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1987037831B2.PDF（168KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文