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Semiconductor light emitting device
其他题名Semiconductor light emitting device
TAKAHASHI SHINICHI; MIZUSAWA KOUJI; FURUMIYA SATOSHI
1977-12-20
专利权人NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE
公开日期1977-12-20
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要PURPOSE:To obtain photo oscillation of a single mode by forming the region of a part in the longitudinal direction of a semiconductor active region to stripe form of narrow width and extending a light confinement layer to both side faces thereof in continuation thereto.
其他摘要用途:通过在半导体有源区的纵向方向上形成一部分区域以形成窄宽度的条形并且将光限制层延伸到其两个侧面并连续地获得单模的光振荡。
申请日期1976-06-16
专利号JP1977153686A
专利状态失效
申请号JP1976071465
公开(公告)号JP1977153686A
IPC 分类号H01L33/14 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01S3/18
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89814
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE
推荐引用方式
GB/T 7714
TAKAHASHI SHINICHI,MIZUSAWA KOUJI,FURUMIYA SATOSHI. Semiconductor light emitting device. JP1977153686A[P]. 1977-12-20.
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JP1979003355B2.PDF(237KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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