Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Semiconductor light emitting device | |
其他题名 | Semiconductor light emitting device |
TAKAHASHI SHINICHI; MIZUSAWA KOUJI; FURUMIYA SATOSHI | |
1977-12-20 | |
专利权人 | NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE |
公开日期 | 1977-12-20 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To obtain photo oscillation of a single mode by forming the region of a part in the longitudinal direction of a semiconductor active region to stripe form of narrow width and extending a light confinement layer to both side faces thereof in continuation thereto. |
其他摘要 | 用途:通过在半导体有源区的纵向方向上形成一部分区域以形成窄宽度的条形并且将光限制层延伸到其两个侧面并连续地获得单模的光振荡。 |
申请日期 | 1976-06-16 |
专利号 | JP1977153686A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1976071465 |
公开(公告)号 | JP1977153686A |
IPC 分类号 | H01L33/14 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89814 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE |
推荐引用方式 GB/T 7714 | TAKAHASHI SHINICHI,MIZUSAWA KOUJI,FURUMIYA SATOSHI. Semiconductor light emitting device. JP1977153686A[P]. 1977-12-20. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1979003355B2.PDF(237KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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