Semiconductor laser and its liquid phase epitaxial crystal growth method

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	Semiconductor laser and its liquid phase epitaxial crystal growth method
其他题名	Semiconductor laser and its liquid phase epitaxial crystal growth method
	TAKANASHI YOSHIFUMI; HORIKOSHI YOSHIHARU; FURUKAWA YOSHITAKA
	1977-11-25
专利权人	NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE
公开日期	1977-11-25
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To grow a thin film free from pinholes over the entire surface of wafers by adding a small volume of Mg or Tl to a GaAs growing solution composed of Ga and As or AlxGa1-xAs growing solution composed of GaAs and Al.
其他摘要	目的：通过向由Ga和As构成的GaAs生长溶液和由GaAs和Al组成的AlxGa1-xAs生长溶液中添加少量的Mg或Tl，在晶片的整个表面上生长没有针孔的薄膜。
申请日期	1976-05-20
专利号	JP1977141187A
专利状态	失效
申请号	JP1976057204
公开（公告）号	JP1977141187A
IPC 分类号	H01L21/208 \| H01L33/30 \| H01L33/36 \| H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89813
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE
推荐引用方式 GB/T 7714	TAKANASHI YOSHIFUMI,HORIKOSHI YOSHIHARU,FURUKAWA YOSHITAKA. Semiconductor laser and its liquid phase epitaxial crystal growth method. JP1977141187A[P]. 1977-11-25.