Manufacture of semiconductor laser element

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	Manufacture of semiconductor laser element
其他题名	Manufacture of semiconductor laser element
	FUKUDA HIROKAZU; SHINOHARA KOUJI; YOSHIKAWA MITSUO; ITOU MICHIHARU
	1981-01-23
专利权人	FUJITSU LTD
公开日期	1981-01-23
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To remove the residual adhesive from the surface of a multiple elements semiconductor thin layer without affecting th substrate or the like by etching the surface of the thin layer with a mixture solution of acetic acid and hydrogen peroxide once. CONSTITUTION:Pb1-xSnxTe crystalline layer containing different composition is formed as a buffer layer 2, an active layer 3 and a top layer 4 on a PbTe substrate 1 by a liquid phase epitaxial method. Thereafter, an etching solution containing acetic acid (containing 99% of CH3COOH) and hydrogen peroxide (containing 35% of H2O2) at 1:1 of volumetric ratio as mixed and heated at 40 deg.C is used to etch the surface of the top layer 4 of the substrate 1 for approx. 5-10min, and the layer 4 is then rinsed with water.
其他摘要	用途：通过用乙酸和过氧化氢的混合溶液一次蚀刻薄层表面，从多元素半导体薄层表面除去残留的粘合剂而不影响基板等。组成：通过液相外延法在PbTe衬底1上形成含有不同成分的Pb1-xSnxTe晶体层作为缓冲层2，有源层3和顶层4。此后，使用体积比为1：1的含有乙酸（含有99％CH3COOH）和过氧化氢（含有35％H2O2）的蚀刻溶液，在40℃下混合并加热，以蚀刻顶部表面。基板1的第4层约为。 5-10分钟，然后用水冲洗层4。
申请日期	1979-06-27
专利号	JP1981006493A
专利状态	失效
申请号	JP1979082500
公开（公告）号	JP1981006493A
IPC 分类号	H01L21/308 \| H01L21/365 \| H01L31/18 \| H01L33/28 \| H01S5/00 \| H01L21/368 \| H01L21/465 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89803
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	FUKUDA HIROKAZU,SHINOHARA KOUJI,YOSHIKAWA MITSUO,et al. Manufacture of semiconductor laser element. JP1981006493A[P]. 1981-01-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1982005071B2.PDF（135KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文