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Semiconductor light emitting element
其他题名Semiconductor light emitting element
OGURA MOTOTSUGU; SASAI YOICHI; MANNOU MASAYA; YOKOGAWA TOSHIYA; TAKAHASHI YASUHITO
1990-08-15
专利权人MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期1990-08-15
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要PURPOSE:To obtain a laser having small inner distortion and high reliability by burying both sides of a mesa stripelike clad layer with ZnSSe layer lattice- matched to a mesa stripelike AlGaInP active layer. CONSTITUTION:A sandwich type double hetero junction semiconductor light emitting element in which GaInP or AlGaInP formed on a GaAs board 1 is formed as an active layer 3, and the layer 3 is interposed between clad layers 2 and 10 having larger energy band gap than that of the layer 3, smaller refractive index than that of the layer 3 and containing at least AlGaInP or AlInP is provided. The layer 10 of the side different from the side of the board 1 is formed in a mesa stripe state, and both sides of the clad layer 10 are buried with a ZnSSe layer 13 lattice-matched to the mesa stripelike AlGaInP or AlInP clad layer or the GaInP or AlGaInP active layer 3 to form an index guide type structure. Thus, a semiconductor laser having small distortion therein and high reliability can be obtained.
其他摘要目的:通过掩埋台面条状包层的两侧,使ZnSSe层晶格匹配到台面条状AlGaInP有源层,获得具有小内部畸变和高可靠性的激光器。组成:夹层型双异质结半导体发光元件,其中形成在GaAs板1上的GaInP或AlGaInP形成为有源层3,并且层3插入在具有比其更大的能带隙的包层2和10之间。在图3中,提供了比层3的折射率小并且至少包含AlGaInP或AlInP的层3的折射率。不同于板1侧面的层10以台面条状形成,并且包层10的两侧埋有与台面条状AlGaInP或AlInP包层晶格匹配的ZnSSe层13或GaInP或AlGaInP有源层3形成折射率引导型结构。因此,可以获得其中具有小失真和高可靠性的半导体激光器。
申请日期1989-02-03
专利号JP1990205381A
专利状态失效
申请号JP1989024980
公开(公告)号JP1990205381A
IPC 分类号H01L33/14 | H01L33/28 | H01L33/30 | H01L33/40 | H01L33/62 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01S3/18
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89748
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
OGURA MOTOTSUGU,SASAI YOICHI,MANNOU MASAYA,et al. Semiconductor light emitting element. JP1990205381A[P]. 1990-08-15.
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