Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser element | |
| 其他题名 | Semiconductor laser element |
| SUYAMA NAOHIRO; SEKI AKINORI; HOSOBANE HIROYUKI; KONDO MASAFUMI; HATA TOSHIO | |
| 1992-08-31 | |
| 专利权人 | SHARP CORP |
| 公开日期 | 1992-08-31 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To manufacture a semiconductor laser element of buried structure having remarkably low threshold current only with one time growth by using the MBE method that makes it possible to finely control the growth layer. CONSTITUTION:A semiconductor substrate 1 has a groove 2, 3, 4 and a stripe- shaped mesa region that is adjacently arranged on the both sides of the grooves. On the semiconductor substrate 1, a first clad layer 6, active layers 7, 7-l-4 and a second clad layer 8 are formed. The active layers 7-l, 7-3 on these grooves 2, 3, 4 are not continuous with the active layers 7-2, 7-4 on the mesa region. |
| 其他摘要 | 目的：通过使用MBE法，其能够精确地控制生长层制造具有显着低的阈值电流埋入结构的半导体激光元件只与一个时间增长。组成：一种半导体衬底1具有槽2，3，4和条纹 - 形，其相邻地布置在所述槽的两侧台面区域。在半导体基板1，第一包层6，活性层7，7-L-4和第二包覆层8形成。这些凹槽2,3,4上的有源层7-1,7-3与台面区域上的有源层7-2,7-4不连续。 |
| 申请日期 | 1991-01-07 |
| 专利号 | JP1992242987A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991000176 |
| 公开（公告）号 | JP1992242987A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89738 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SUYAMA NAOHIRO,SEKI AKINORI,HOSOBANE HIROYUKI,et al. Semiconductor laser element. JP1992242987A[P]. 1992-08-31. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1992242987A.PDF（126KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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