高出力半導体レーザ

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	高出力半導体レーザ
其他题名	高出力半導体レーザ
	駒崎岩男
	1994-08-23
专利权人	オリンパス光学工業株式会社
公开日期	1994-08-23
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】本発明は、p側2クラッド層への電子のリーク抑制効果、高効率·高出力化を図ったことを主要な目的とする。【構成】基板(11)と、この基板上に形成された第1クラッド層(12)と、この第1クラッド層上に形成された第1光出力導波路層(14)と、この導波路層上に形成され,各量子井戸幅が5nm以下の多重量子井戸活性層(15)と、この活性上に形成された第2光出力導波路層(16)と、この導波路層上に形成され,中央部にメサ部を有する第2クラッド層(18)と、前記第2クラッド層上に形成され,第2クラッド層のメサ部を該メサ部の長手方向に沿って挟みこむ電流ブロック層(2) と、前記第1光出力導波路層と第1クラッド層間,及び前記第2光出力導波路層と第2クラッド層間に夫々形成され,前記各クラッド層のバンドギャップよりも100 meV〜300 meV大きなバンドギャップをもち前記光出力導波路層よりも薄い第1·第2バリア層(12 ,17) とを具備することを特徴とする高出力半導体レーザ。
其他摘要	目的本发明中，电子泄漏抑制p侧第2包层上的效果，其主要目的，其中，实现了高效率和高输出。 [配置]所述的基板（11），和形成在基板（12）上的第一包层，形成于该第一包层（14）上的第一光输出波导层，所述波导形成的层上，和量子阱宽度在多量子是为5nm或更小阱活性层（15），形成在有源（16）的第二光输出波导层，形成在波导层上是，具有在中央部的台面部分的第二包层（18），其中，所述第二包层上形成，则电流阻挡层沿所述第二包层的台面在台面部分的纵向方向上夹着和（2）中，第一光输出波导层和所述第一覆盖层，和所述分别形成在第二包层上的第二光输出波导层，100兆电子伏〜比包覆层的带隙较大的300兆电子伏薄于具有光输出波导层能带隙的第一和第二势垒层（12，17）和高输出半导体激光器，其特征在于包括。
申请日期	1993-02-10
专利号	JP1994237041A
专利状态	失效
申请号	JP1993022586
公开（公告）号	JP1994237041A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	鈴江武彦
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89706
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	オリンパス光学工業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	駒崎岩男. 高出力半導体レーザ. JP1994237041A[P]. 1994-08-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1994237041A.PDF（27KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文