Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser element | |
| 其他题名 | Semiconductor laser element |
| YONEZU HIROO | |
| 1984-09-11 | |
| 专利权人 | NIPPON DENKI KK |
| 公开日期 | 1984-09-11 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To obtain a large number of longitudinal modes by forming partial irregularities to a side wall constituting the difference of refractive indexes for controlling a lateral mode in the direction parallel with an active layer and partially reflecting a lateral mode advancing in the direction of an optical axis. CONSTITUTION:An N-Al0.35Ga0.65As clad layer 202, an Al0.05Ga0.95As active layer 203, an Al0.35Ga0.65As clad layer 204 and an N-GaAs cap layer 205 are formed on an N-GaAs substrate 200, to which a groove 201 is bored, in succession through a liquid phase growth method. The groove 201 is buried flatly with N-Al0.35Ga0.65As at that time. Striped selective Zn diffusion is made reach to the P-Al0.35Ga0.65As clad layer 204 from the surface of the N-GaAs cal layer 205. Consequently, a P type Zn diffusion region 206 can be formed. A P type ohmic electrode 207 of Au/Pt/Ti is formed on the surface of the cap layer 205 and an N type ohmic electrode 208 of Au-Ge-Ni on the surface of the N-GaAs substrate 200 respectively. When currents are flowed in the forward direction, a laser oscillation is generated in an active layer 209 on the groove 20 |
| 其他摘要 | 目的：通过在构成折射率差异的侧壁上形成局部不规则性来获得大量纵向模式，以控制在与有源层平行的方向上的横向模式，并部分地反射在光学方向上前进的横向模式轴。组成：在N-GaAs基板200上形成N-Al0.35Ga0.65As包层202，Al0.05Ga0.95As有源层203，Al0.35Ga0.65As包层204和N-GaAs盖层205通过液相生长方法连续地对凹槽201进行钻孔。此时，凹槽201与N-Al0.35Ga0.65As平坦地埋入。条纹选择性Zn扩散从N-GaAs校正层205的表面到达P-Al0.35Ga0.65As包层204.因此，可以形成P型Zn扩散区206。在盖层205的表面上形成Au / Pt / Ti的P型欧姆电极207，并且在N-GaAs基板200的表面上分别形成Au-Ge-Ni的N型欧姆电极208。当电流沿正向流动时，在沟槽201上的有源层209中产生激光振荡。 |
| 申请日期 | 1983-03-03 |
| 专利号 | JP1984161086A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1983034769 |
| 公开（公告）号 | JP1984161086A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/20 | H01S5/223 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89650 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON DENKI KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | YONEZU HIROO. Semiconductor laser element. JP1984161086A[P]. 1984-09-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1984161086A.PDF（211KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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