Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser device | |
| 其他题名 | Semiconductor laser device |
| OTA YOSHINORI; KUBO MITSUNORI | |
| 1992-01-28 | |
| 专利权人 | OLYMPUS OPTICAL CO LTD |
| 公开日期 | 1992-01-28 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To obtain narrow line width and stable wavelength without using a diffraction grating, by constituting an optical waveguide region of material having photorefractive effect. CONSTITUTION:A lithium niobate substrate 64 is formed on the light output end surfaces 62, 63 sides of an LED chip 5 One end surface 62 is inclined from an optical axis to prevent the independent laser oscillation of the LED. Ti diffused regions (lithium niobate optical waveguides) 65, 66 having lateral confinement structure are formed on a substrate 64. The light outputted from an active layer 55 of the LED 51 travels in the optical waveguides 65, 66; a part of the light is reflected by end surfaces 67 of the optical waveguides 65, 66; the residual part is outputted as radiation light 68. The spectrum of said light 68 is narrowed by the effect of refractive index distribution 69 formed in the optical waveguides 65, 66. |
| 其他摘要 | 目的：通过构成具有光折变效应的材料的光波导区域，在不使用衍射光栅的情况下获得窄线宽和稳定波长。组成：铌酸锂基板64形成在LED芯片51的光输出端面62,63两侧。一个端面62从光轴倾斜，以防止LED的独立激光振荡。在基板64上形成具有横向限制结构的Ti扩散区域（铌酸锂光波导）65,66。从LED51的有源层55输出的光在光波导65,66中行进。一部分光被光波导65,66的端面67反射;剩余部分作为辐射光68输出。所述光68的光谱由于在光波导65,66中形成的折射率分布69的作用而变窄。 |
| 申请日期 | 1990-05-16 |
| 专利号 | JP1992024980A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1990125713 |
| 公开（公告）号 | JP1992024980A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/042 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89511 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OLYMPUS OPTICAL CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | OTA YOSHINORI,KUBO MITSUNORI. Semiconductor laser device. JP1992024980A[P]. 1992-01-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1992024980A.PDF（403KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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