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Semiconductor optical device
其他题名Semiconductor optical device
LEE, DONG HUN; PARK, SANG HO; BAEK, YONG SOON; SHIN, JANG UK; HAN, YOUNG TAK
2017-06-22
专利权人ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE
公开日期2017-06-22
授权国家美国
专利类型发明申请
摘要Provided herein is a semiconductor optical device, including a waveguide including lattices buried therein and having a buried hetero (BH) structure formed in an optical oscillation region in which single mode light is oscillated, a waveguide having a deep ridge structure formed in an optical modulation region, and a passive waveguide formed in a mode transition region interposed between the optical oscillation region and the optical modulation region, formed as a connecting structure of the waveguide having the BH structure extending from the optical oscillation region and the waveguide having the deep ridge structure extending from the optical modulation region, and inducing evanescent optical coupling, wherein a width of the waveguide having the BH structure in the mode transition region is smaller than a width of the waveguide having the deep ridge structure in the optical modulation region.
其他摘要本发明提供一种半导体光学器件,包括:波导,其包括埋入其中的晶格,并且具有形成在其中振荡单模光的光学振荡区域中的掩埋异质(BH)结构,具有在光学调制中形成的深脊结构的波导区域和形成在介于光学振荡区域和光学调制区域之间的模式过渡区域中的无源波导,形成为具有从光学振荡区域延伸的BH结构的波导和具有深脊结构的波导的连接结构从光学调制区域延伸,并引入瞬逝光学耦合,其中在模式转变区域中具有BH结构的波导的宽度小于在光学调制区域中具有深脊结构的波导的宽度。
申请日期2016-08-19
专利号US20170179679A1
专利状态授权
申请号US15/241362
公开(公告)号US20170179679A1
IPC 分类号H01S5/026 | H01S5/343 | H01S5/22 | G02B6/14 | G02B6/122 | G02B6/12 | H01S5/00 | G02F1/017
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89491
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE
推荐引用方式
GB/T 7714
LEE, DONG HUN,PARK, SANG HO,BAEK, YONG SOON,et al. Semiconductor optical device. US20170179679A1[P]. 2017-06-22.
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