Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 安藤 精後; 小林 直樹; 安藤 弘明 | |
| 1998-07-24 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 1998-09-30 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 キャリアの損失が低く、発振閾値が低い半導体レーザを実現する。 【構成】 半導体レーザは、半導体基板1の(111)B面上に、この基板と平行に積層された第1のクラッド層2、活性層3および第2のクラッド層を有する。この活性層3は共振器の寸法を有し、また、この活性層の共振器端面は第2のクラッド層4により覆われ基板に垂直方向に形成された正6角形状のダブルヘテロ構造を有する。 |
| 其他摘要 | 目的：提供一种半导体激光器，其允许小载流子损耗和低振荡阈值。组成：第一包层2，活化层3和第二包层4层叠在半导体激光器的半导体衬底1的（111）B平面上，与基板1平行。激活层3具有尺寸谐振器和激活层的谐振器边缘平面被第二覆层4覆盖，并具有垂直于衬底形成的六边形双异质结构。 |
| 申请日期 | 1992-06-24 |
| 专利号 | JP2806409B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992166391 |
| 公开（公告）号 | JP2806409B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 谷 義一 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89346 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安藤 精後,小林 直樹,安藤 弘明. 半導体レーザおよびその製造方法. JP2806409B2[P]. 1998-07-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2806409B2.PDF（30KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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