Semiconductor laser apparatus

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	Semiconductor laser apparatus
其他题名	Semiconductor laser apparatus
	AOKI, MASAHIRO
	2005-11-22
专利权人	HITACHI, LTD.
公开日期	2005-11-22
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A device structure whereby an excellent tunable laser does not require a highly complicated wavelength control circuit, and delivers a high output, and excels in wavelength stability; and a structure of an optical module incorporating the laser; and a method for manufacturing the laser and the optical module. The wavelength of the laser is varied continuously with the single electric signal in the tunable wavelength range by setting the laser resonator length, the electric driving conditions of the laser at the time of tuning the wavelength, and the operating temperature to be in appropriate ranges, respectively. The device structure whereby improved laser gain, decreased electric resistance, and reduced heat resistance is attained by setting the waveguide width, particularly at part of or all parts of the laser resonator waveguide, to a wide width that allows multiple transverse modes to be sustained and setting both the width and the laser resonator length to appropriate values, respectively. By employing a self-image-formation effect resulting from the multi-mode interference effect, mode conversion loss in the laser resonator is reduced and, connection with an optical fiber is facilitated because the light intensity distribution at an emitting facet of the laser becomes a single-peaked lowest-order mode.
其他摘要	一种器件结构，其中优秀的可调谐激光器不需要高度复杂的波长控制电路，并且提供高输出，并且具有优异的波长稳定性;以及包含激光器的光学模块的结构;以及制造激光器和光学模块的方法。通过设定激光谐振器长度，调谐波长时激光器的电驱动条件，以及工作温度在适当的范围内，激光的波长随可调波长范围内的单个电信号连续变化，分别。通过将波导宽度，特别是激光谐振器波导的一部分或全部部分设置为宽的宽度，允许多个横向模式得以维持，可以获得改善的激光增益，降低的电阻和降低的耐热性的器件结构。将宽度和激光谐振器长度分别设置为适当的值。通过采用由多模干涉效应产生的自成像效果，减小了激光谐振器中的模式转换损耗，并且由于激光器的发射面处的光强度分布变为，因此促进了与光纤的连接。单峰最低阶模式。
申请日期	2003-02-05
专利号	US6967983
专利状态	失效
申请号	US10/358154
公开（公告）号	US6967983
IPC 分类号	H01S5/026 \| H01S5/00 \| H01S5/40 \| H01S5/022 \| H01S5/125
专利代理人	-
代理机构	REED SMITH LLP FISHER,ESQ., STANLEY P. MARQUEZ,ESQ., JUAN CARLOS A.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89333
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI, LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	AOKI, MASAHIRO. Semiconductor laser apparatus. US6967983[P]. 2005-11-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6967983.PDF（153KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文