半導体レーザ装置

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	半導体レーザ装置
其他题名	半導体レーザ装置
	岡井誠; 大▲歳▼ 創
	1997-11-28
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	1997-11-28
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】本発明の目的は、半導体レーザ装置のしきい電流の上昇を最低限に押さえて、高次の横モード発生を防ぎ、結果として光出力-電流特性のキンクレベルを上げることにある。半導体レーザ装置において、発振時に基本横モードと高次の横モードが共存する場合、それらの干渉により光強度がメサストライプ内でうねる現象が見られる。光出力の増大に伴って光出力-電流特性にキンクが現われる。【解決手段】半導体レーザのクラッド層に対し、光強度がメサストライプの最も端に来る部分を含む一定の領域のメサストライプ幅を狭くする。【効果】半導体レーザ装置のしきい電流の上昇を最低限に押さえて、高次の横モード発生を防ぎ、結果として光出力-電流特性のキンクレベルを上げ得る。
其他摘要	要解决的问题：为了防止产生更高阶的横向模式，从而增加光输出电流特性的扭结水平，通过减小包含光强度最偏向的部分的恒定区域的条带宽度到最后有源层条带宽度方向，与其他区域相比。解决方案：在N型GaAs衬底1的表面上，依次形成以下部分; N型GaAlInP包层2，AlGaInP多量子阱有源层3，P型GaAlInP包层4，P型GaInP蚀刻停止层5和P型GaAlInP包层6.台面条纹是通过将包层6加工成梯形而形成。普通部分的条纹宽度为5.5微米，窄部分的条纹宽度为4.0微米。窄部分的长度（a）为100微米。最偏向最后的光强度的部分布置成使得该部分包含在（a）中。因此，阈值电流的增加被限制到最小，并且防止了高阶横向模式的产生，从而可以增加光输出电流特性的扭结水平。
申请日期	1996-05-10
专利号	JP1997307178A
专利状态	失效
申请号	JP1996115998
公开（公告）号	JP1997307178A
IPC 分类号	H01S5/10 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	小川勝男
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89294
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	岡井誠,大▲歳▼ 創. 半導体レーザ装置. JP1997307178A[P]. 1997-11-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1997307178A.PDF（20KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文