半導体レーザ装置、その製造方法及び光通信システム

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体レーザ装置、その製造方法及び光通信システム
其他题名	半導体レーザ装置、その製造方法及び光通信システム
	稲葉雄一; 鬼頭雅弘; 中山久志
	2000-02-02
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	2000-02-02
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】半導体レーザ装置のスペクトル線幅を容易に狭小化できるようにする。【解決手段】メサ状ストライプ領域31は、基板側から順に、厚さが500nmのn型InGaAsPからなるn型光導波路層12と、注入されたキャリアのうち所定のエネルギーを持つ電子のみを選択的に通過させるキャリア選択層としての多層のヘテロ接合からなる超格子層13と、多重量子井戸層活性層14と、厚さが500nmのp型InGaAsPからなるp型光導波路層15と、p型InPからなるp型クラッド層16とにより構成されている。超格子層13は、厚さが6nmで組成波長λgが40μmのInGaAsPからなる井戸層13wと、厚さが6nmで組成波長λgが15μmのInGaAsPからなる障壁層13bとの対が積層された多重量子井戸層として構成されている。
其他摘要	要解决的问题：使半导体激光器件的光谱线宽度容易变窄。解决方案：台面状条纹区域31通过连续形成厚度为500nm的n型InGaAsP波导层12，多层异质结超晶格层13构成，该多层异质结超晶格层13用作仅选择性地通过规定的电子的载流子选择层注入载流子中的能量，多层量子阱有源层14，厚度为50nm的p型InGaAsP波导层15，以及基板侧的p型InP包层16。超晶格层13由多层量子阱层构成，其中成对的InGaAsP阱层13w具有6nm的厚度和组成波长λg为40μm，InGaAsP势垒层13b具有6nm的厚度和成分。波长λ和15μm的λ被层压在另一个上。
申请日期	1998-07-17
专利号	JP2000036636A
专利状态	失效
申请号	JP1998203551
公开（公告）号	JP2000036636A
IPC 分类号	H01S5/30 \| H01S5/00
专利代理人	前田弘 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89285
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	稲葉雄一,鬼頭雅弘,中山久志. 半導体レーザ装置、その製造方法及び光通信システム. JP2000036636A[P]. 2000-02-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000036636A.PDF（67KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文