Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| TSUKIKI KAZUNORI | |
| 1988-07-12 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 1988-07-12 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To enable a laser device to generate a beam wit its cross section quite round for an enhanced for field pattern resolution by a method wherein protrusions are provided on the bottom of a stripe and the surface is flattened of a semiconductor layer that is grown immediately above a semiconductor substrate. CONSTITUTION:Just above a semiconductor substrate 1 wherein a stripe 7 is provided, a semiconductor clad layer 2 is grown of aluminum gallium arsenide. The semiconductor substrate 1 is then placed in an N-type aluminum gallium arsenide atmosphere for crystal growth in an organic metal vapor growth process. The result is protrusions 8 of a rectangular cross section on the bottom 7a of the stripe 7. The protrusions 8 are parallelly arranged at a constant interval and their line extends along the length of the strip 7. The surface of the clad layer 2 is thereby flattened and the surfaces of an active layer 3, a clad layers 4 and of a cap layer 5 which are to be formed one after the other on the flattened surface of the clad layer 2, will also be flat. |
| 其他摘要 | 目的：使激光装置产生一个横截面非常圆的光束，通过一种方法，通过在条纹底部提供突起并且表面被立即生长的半导体层平整的方法来增强场图案分辨率在半导体衬底之上。组成：正好在其中提供条纹7的半导体衬底1上方，半导体覆层2由砷化铝镓生长。然后将半导体衬底1置于N型铝砷化镓气氛中，以在有机金属气相生长过程中进行晶体生长。结果是条纹7的底部7a上的矩形横截面的突起8.突起8以恒定的间隔平行排列，并且它们的线沿着条带7的长度延伸。包层2的表面由此形成。在包层2的平坦表面上一个接一个地形成的有源层3，包层4和盖层5的表面也是平坦的。 |
| 申请日期 | 1986-12-30 |
| 专利号 | JP1988168069A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1986312423 |
| 公开（公告）号 | JP1988168069A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89078 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | TSUKIKI KAZUNORI. Semiconductor laser. JP1988168069A[P]. 1988-07-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1988168069A.PDF（287KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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