Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| GaN系化合物半導体素子の製造方法 | |
| 其他题名 | GaN系化合物半導体素子の製造方法 |
| 弓 削 省 三; 菅 原 秀 人 | |
| 1998-03-17 | |
| 专利权人 | 株式会社東芝 |
| 公开日期 | 1998-03-17 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 高品質で結晶性にすぐれたInGaN発光層を形成し得る、高品質GaN系化合物半導体素子の製造方法を提供すること。 【解決手段】 (Ga1-x N/Alx )1-y Iny N(0≦x≦1,0≦y≦1)系結晶材料を気相成長させるに際し,同一層およびヘテロ層のいずれにおいても、形成する層の成長を中断する成長中断工程の少なくとも一つの成長中断工程における雰囲気として、V族ガスを含む雰囲気であり、かつ、V族以外のキャリアガスとして不活性ガスを用いることによって、前記成長中断工程において露出している層の昇華を防止するようにしたことを特徴とする。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种制造高质量GaN化合物半导体器件的方法，其中可以形成具有良好结晶性的高质量InGaN发光层。解决方案：当通过气相外延技术沉积（Ga1-xN / Alx）1-y Iny N（0 <= x <= 1,0 <= y <= 1）晶体材料时，至少有一个生长的气氛中断正在形成的层的生长的中断过程，无论是同一层还是异质层，使得包含V族气体的一种气体和除V族气体之外的载气是惰性气体。通过该方法，可以防止在生长中断过程中暴露的层的升华。 |
| 申请日期 | 1997-06-26 |
| 专利号 | JP1998075019A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997185864 |
| 公开（公告）号 | JP1998075019A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01L33/06 | H01L33/32 | H01L21/205 | H01S5/00 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 佐藤 一雄 (外3名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88974 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 弓 削 省 三,菅 原 秀 人. GaN系化合物半導体素子の製造方法. JP1998075019A[P]. 1998-03-17. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998075019A.PDF（321KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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