Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 柿本 昇一; 門脇 朋子; 青柳 利隆; 高木 和久 | |
| 1997-05-23 | |
| 专利权人 | 三菱電機株式会社 |
| 公开日期 | 1997-09-17 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | PURPOSE:To acquire a semiconductor laser of a small threshold current. CONSTITUTION:An N-type clad layer 2, a P-type clad layer 4 and an active layer 3 between the clad layers are provided on a substrate At least one of the clad layers is formed by doping impurities 20 or 40 forming the clad layer with impurities 40 or 20 of opposite conductivity which are ionic-bonded with the impurities. Since the N-type impurities 20 and the P-type impurities 40 pull mutually, they are hard to move alone. Therefore, at a high temperature of crystal growth, diffusion into the active layer can be restrained and a semiconductor laser of a small threshold current can be acquired. |
| 其他摘要 | 目的：获得小阈值电流的半导体激光器。组成：一个N型包层2，P型包层4和覆盖层之间的有源层3中提供包覆层中的至少一个是由掺杂杂质20或40形成在基板上形成具有与杂质离子键合的相反导电性的杂质40或20的包层。由于N型杂质20和P型杂质40相互拉伸，因此它们难以单独移动。因此，在高温下的晶体生长，扩散到有源层可以抑制并且可以获得一个小的阈值电流的半导体激光器。 |
| 申请日期 | 1991-02-05 |
| 专利号 | JP2653562B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991038085 |
| 公开（公告）号 | JP2653562B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01S | H01S5/323 | H01S5/32 | H01S5/223 | H01L33/00 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 早瀬 憲一 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88971 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柿本 昇一,門脇 朋子,青柳 利隆,等. 半導体レーザおよびその製造方法. JP2653562B2[P]. 1997-05-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2653562B2.PDF（42KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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