光アセンブリ

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	光アセンブリ
其他题名	光アセンブリ
	辻伸二; 高橋龍太; 宍倉正人; 菊池悟; 青木聰
	2001-01-12
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	2001-03-19
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	(修正有) 【課題】発熱の大きな半導体素子と、高インピーダンスの光素子を同一の光導波路基板上に光学的に低損失になるように搭載した光アセンブリ構造を提供する。【解決手段】半導体基板10の凸部11上に直接、あるいはサブミクロン程度の厚さの絶縁体層を介して発熱の大きな素子2を接着させる。一方、高インピーダンスの光素子3は、それと結合される光導波路層と光軸が一致するように半導体基板の凹部上に形成した溝中に搭載する。あるいは、半導体基板10の電位を電源電圧、または接地電位として、順方向にバイアスされる発熱素子2と、浮遊容量が問題になる逆バイアス素子3の基板結晶の極性を反転させる。【効果】発熱の大きな素子と、高インピーダンスの光素子を、光導波路の光軸と一致させつつ、同一の光導波路基板上に搭載可能となる。その結果、光導波路上に種々の光素子、電気素子を組み込んだハイブリッド光回路が低コストで実装できる。
其他摘要	（经修改）设置在加热的大的半导体装置中，所安装的光学组件的结构具有高阻抗的光学元件变得光学低损耗到相同的光波导基板。甲直接在半导体衬底10，或发热的大的元件2的凸部11经由具有亚微米厚度的绝缘层粘附。在另一方面，高阻抗，由与其光波导层和光轴耦合的光学装置3安装在形成于所述半导体基板相匹配的凹部的槽。可选地，半导体衬底10或接地电位，和发热元件2的电源电压电势被偏置在向前的方向，倒车反向偏置元件3的杂散电容的基板晶体的极性成为问题。效应的加热，具有高阻抗的光学元件的一个大的元件，而与光波导的光轴和一致时，可以安装在相同的光学波导衬底上。结果，可以以低成本安装在光波导上包含各种光学元件和电子元件的混合光学电路。
申请日期	1995-08-30
专利号	JP3147141B2
专利状态	失效
申请号	JP1995221433
公开（公告）号	JP3147141B2
IPC 分类号	H01L \| H01L31/0232 \| H04B10/04 \| H04B10/06 \| H01S5/022 \| G02B6/122 \| H04B10/14 \| G02B \| G02B6/42 \| H01S \| H04B10/26 \| H01L27/15 \| H04B \| H01S5/00 \| H04B10/28 \| H04B10/40 \| H04B10/50 \| H04B10/60 \| H04B10/67
专利代理人	作田康夫
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88947
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	辻伸二,高橋龍太,宍倉正人,等. 光アセンブリ. JP3147141B2[P]. 2001-01-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3147141B2.PDF（239KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文