Semiconductor laser

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	Semiconductor laser
其他题名	Semiconductor laser
	OZAWA MASABUMI; MARUTANI YUKITOSHI
	1992-01-28
专利权人	ソニー株式会社
公开日期	1992-01-28
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To restrain leak current, reduce threshold current I, and improve characteristics, by a method wherein, in an SDH(separate double hetero junction) type semiconductor laser, a lateral direction buried layer of an active layer is constituted of a semiinsulative compound semiconductor layer. CONSTITUTION:A stripe type mesa protrusion 2 is formed in compound semiconductor 1 like an InP substratum of a first conductivity type, e.g. n-type; a first conductivity type clad layer 3 like, e.g. n-type InP, and an active layer 4 composed of undoped GaInAsP are epitaxially grown; a second conductivity type, e.g. p-type, clad layer 5 composed of, e.g. InP, is especially grown so as not to come into contact with the end surface of the active layer 4 on a stripe type epitaxial growth layer 10. After that, a semiinsulative compound semiconductor layer 6 composed of, e.g. InP doped with Fe, and a p-type contact layer 7, i.e. cap layer, are formed. Further an impurity introduced layer 8 is formed, and the p-type clad layer 5 and a p-type contact layer 7 are electrically connected.
其他摘要	用途：通过一种方法抑制漏电流，降低阈值电流I，改善特性，其中，在SDH（单独的双异质结）型半导体激光器中，有源层的横向埋层由半绝缘化合物半导体构成层。组成：条形型台面突起2形成在化合物半导体1中，类似于第一导电类型的InP基底，例如，第一导电类型。 n型;第一导电类型包层3，例如， n型InP和由未掺杂的GaInAsP组成的有源层4外延生长;第二导电类型，例如p型，包层5，例如由特别地，生长InP，以便不与条形外延生长层10上的有源层4的端面接触。之后，形成由例如半导体生长层10构成的半绝缘化合物半导体层6。掺杂Fe的InP和p型接触层7，即盖层形成。此外，形成杂质引入层8，并且p型覆层5和p型接触层7电连接。
申请日期	1990-05-15
专利号	JP1992024977A
专利状态	失效
申请号	JP1990124779
公开（公告）号	JP1992024977A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01S5/227 \| H01S5/323 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88935
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ソニー株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	OZAWA MASABUMI,MARUTANI YUKITOSHI. Semiconductor laser. JP1992024977A[P]. 1992-01-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1992024977A.PDF（295KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文