Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 奥田 肇 | |
| 1993-03-12 | |
| 专利权人 | 株式会社東芝 |
| 公开日期 | 1993-03-12 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 光学損傷が起きるレベルを大幅に高めることにより、安定した高出力発振を可能にし、均一な特性の半導体レーザ装置を歩留り良く提供する点。 【構成】 活性層の最大利得波長よりも長い波長で発振するように予め回析格子の周期を設定してから、p型光導波路層に回析格子を重ねて形成後、クラッド層を形成する。この結果、発振レーザ光は、活性層中で透明になり、反射面での光学損傷を起さずに高出力発振ができる。更に、特定の波長だけが発振するので、単一モードレーザが実現できる。 |
| 其他摘要 | 目的：通过预先设置分析光栅的周期以在比有源层的最大增益波长更长的波长内振荡来大大提高引起光学损伤的水平并稳定地振荡高输出，然后重叠以形成衍射在P型光波导层上光栅，然后形成包层。组成：在p型In0.5Ga0.5P光波导层15涂有光致抗蚀剂层后，它通过2-光通量干涉曝光单元曝光，以形成衍射光栅的抗蚀剂图像16。在这种情况下，光栅的周期被设定为振荡长于有源层的最大增益波长。利用图像16作为掩模，通过各向异性或各向同性蚀刻形成与层15平行的相等周期的不均匀部分，以转移衍射光栅17，并形成分布反馈部分。通过MOCVD方法沉积并生长AP型In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5P包覆层18。因此，可以在没有反射表面的光学损坏的情况下执行高输出振荡。 |
| 申请日期 | 1991-09-03 |
| 专利号 | JP1993063295A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991221975 |
| 公开（公告）号 | JP1993063295A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 大胡 典夫 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88934 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥田 肇. 半導体レーザ装置. JP1993063295A[P]. 1993-03-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993063295A.PDF（32KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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