Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Rib waveguide type semiconductor laser | |
| 其他题名 | Rib waveguide type semiconductor laser |
| YAMAMOTO, MOTOYUKI INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION | |
| 1990-09-05 | |
| 专利权人 | KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
| 公开日期 | 1990-09-05 |
| 授权国家 | 欧洲专利局 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | A rib waveguide type semiconductor laser includes a p-type high impurity concentration layer (5) formed between a p-upper cladding layer (4) and p-ohmic layer (6) and having an impurity concentration higher than the impurity concentration of the p-upper cladding layer (4) and p-ohmic layer (6). The high impurity concentration layer (5) acts to make small a discontinuous portion of the valence band between the p-upper cladding layer (4) and p-ohmic layer (6) and change the steep junction to a smoothly inclined junction, thereby lowering the voltage drop across the junction. |
| 其他摘要 | 肋形波导型半导体激光器包括形成在p-上包层（4）和p-欧姆层（6）之间并且杂质浓度高于p的杂质浓度的p型高杂质浓度层（5）。 - 上层包层（4）和p-欧姆层（6）。高杂质浓度层（5）用于使p-上包层（4）和p-欧姆层（6）之间的价带的不连续部分变小，并将陡峭的结变为平滑倾斜的结，从而降低结点上的电压降。 |
| 申请日期 | 1989-07-25 |
| 专利号 | EP0353033A3 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | EP1989307565 |
| 公开（公告）号 | EP0353033A3 |
| IPC 分类号 | H01L29/43 | H01L21/28 | H01S5/00 | H01S5/042 | H01S5/223 | H01S5/323 | H01S3/19 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | FREED, ARTHUR WOOLF |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88886 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | YAMAMOTO, MOTOYUKI INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION. Rib waveguide type semiconductor laser. EP0353033A3[P]. 1990-09-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| EP0353033A3.PDF（194KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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