半導體雷射元件及其製造方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導體雷射元件及其製造方法
其他题名	半導體雷射元件及其製造方法
	川中敏; 中村厚; 萩元將人; 原英樹; 山本昌克
	2008-12-16
专利权人	优志旺光半导体有限公司
公开日期	2008-12-16
授权国家	中国台湾
专利类型	发明申请
摘要	本發明之課題在於提供驅動電流很小且投影像無紊亂之半導體雷射元件。本發明之解決手段為半導體雷射係具有:n-GaAs基板、n-GaAs基板2上面依序層積n-鍍層、活性層、p-鍍層、p-接觸層之多層成長層、由p-接觸層之上面起至p-鍍層之特定深度為止選擇性除去而形成之脊(ridge)、重疊形成於n-GaAs基板的上面側,設於由脊之側面至n-GaAs基板之周緣的部分的絕緣膜、重疊於脊的p-接觸層之被形成於絕緣膜上的p型電極、及被形成於n-GaAs基板下面的n型電極,係n-GaAs基板對活性層之發光波長的光具有成為吸收層的禁制帶寬幅之構成,於成為前方射出面的端面側,從沿著端面而且從脊之側緣起隔著特定距離之p-鍍層部分至活性層的側緣之位置為止設有從p-鍍層起超過活性層的深度之溝,溝係以前述絕緣膜覆蓋的構造。
其他摘要	本發明之課題在於提供驅動電流很小且投影像無紊亂之半導體雷射元件。本發明之解決手段為半導體雷射係具有:n-GaAs基板、n-GaAs基板2上面依序層積n-鍍層、活性層、p-鍍層、p-接觸層之多層成長層、由p-接觸層之上面起至p-鍍層之特定深度為止選擇性除去而形成之脊(ridge)、重疊形成於n-GaAs基板的上面側,設於由脊之側面至n-GaAs基板之周緣的部分的絕緣膜、重疊於脊的p-接觸層之被形成於絕緣膜上的p型電極、及被形成於n-GaAs基板下面的n型電極,係n-GaAs基板對活性層之發光波長的光具有成為吸收層的禁制帶寬幅之構成,於成為前方射出面的端面側,從沿著端面而且從脊之側緣起隔著特定距離之p-鍍層部分至活性層的側緣之位置為止設有從p-鍍層起超過活性層的深度之溝,溝係以前述絕緣膜覆蓋的構造。
申请日期	2007-12-13
专利号	TW200849753A
专利状态	授权
申请号	TW096147677
公开（公告）号	TW200849753A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/00
专利代理人	林志剛
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88775
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	优志旺光半导体有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	川中敏,中村厚,萩元將人,等. 半導體雷射元件及其製造方法. TW200849753A[P]. 2008-12-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
TW200849753A.PDF（5805KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文