Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体装置 | |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 松下 保彦 | |
| 1996-11-22 | |
| 专利权人 | 三洋電機株式会社 |
| 公开日期 | 1996-11-22 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 下地層が導電性およびへき開性を有し、かつGaN、AlNもしくはInNまたはこれらの混晶からなる成長層が下地層とほぼ完全に格子整合した半導体装置を提供することである。 【構成】 Alが添加されたp型6H-SiC基板10を用いる。p型6H-SiC基板10の{0001}面上に、p型GaN層21、p型AlGaNクラッド層22、n型InGaN発光層23、n型AlGaNクラッド層24およびn型GaN層25を順に含むGaN成長層20をエピタキシャル成長させる。 |
| 其他摘要 | 目的：提供一种基层具有导电性和解理性能的半导体器件，以及由GaN，AlN或InN晶体或这些GaN，AlN和InN晶体的混晶组成的生长层，几乎完全成为lattic与基础层匹配。组成：使用p型Al掺杂的6H-SiC衬底10。GaN生长后20，其依次包含p型GaN层21，p型AlGaN包层22，n型InGaN发光层23，n型AlGaN包层24和n型GaN层25外延生长在基板10的面0001'上。 |
| 申请日期 | 1995-05-09 |
| 专利号 | JP1996306958A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995110887 |
| 公开（公告）号 | JP1996306958A |
| IPC 分类号 | H01L33/34 | H01S5/323 | H01L33/16 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 福島 祥人 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88696 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松下 保彦. 半導体装置. JP1996306958A[P]. 1996-11-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1996306958A.PDF（55KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [松下 保彦]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [松下 保彦]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [松下 保彦]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论