Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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| 其他题名 | - |
| SHIBUYA TAKAO; SHIMIZU JUICHI; WADA MASARU; TERAMOTO ITSUKI; HAMADA TAKESHI; ITO KUNIO | |
| 1993-08-20 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 公开日期 | 1993-08-20 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | PURPOSE:To form a vertical cavity mirror surface at a junction, by specifying the difference between the mixed crystal ratio (x) of a Ga1-xAlxAs cld layer on an active layer and the mixed crystal ratio (z) of a Ga1-zAlzAs layer formed on the clad layer through a GaAs layer, and effecting chemical etching through a mask. CONSTITUTION:An N type Ga1-xAlxAs (0 |
| 其他摘要 | 目的：通过指定有源层上Ga1-xAlxAs cld层的混晶比（x）与Ga1-zAlzAs层的混晶比（z）之间的差，在结处形成垂直腔镜面通过GaAs层在包层上形成，并通过掩模进行化学蚀刻。组成：N型Ga1-xAlxAs（0 |
| 申请日期 | 1984-07-31 |
| 专利号 | JP1993056675B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1984161717 |
| 公开（公告）号 | JP1993056675B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01L | H01L21/308 | H01L21/306 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88695 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SHIBUYA TAKAO,SHIMIZU JUICHI,WADA MASARU,et al. -. JP1993056675B2[P]. 1993-08-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993056675B2.PDF（215KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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