半導体レーザ及びその製造方法

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	半導体レーザ及びその製造方法
其他题名	半導体レーザ及びその製造方法
	細井浩行; 牧田幸治; 鹿嶋孝之
	2006-10-19
专利权人	パナソニック株式会社
公开日期	2006-10-19
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】記録型光ディスクなどへの適用が可能である、高キンク光レベルかつ低動作電流の高出力半導体レーザとその製造方法を提供する。【解決手段】n型GaAs基板102上に、n型クラッド層103、GaAs系活性層104、p型第1クラッド層105、p型AlInPエッチングストップ層106、p型(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P第2クラッド層108、p型中間層109、p型キャップ層110を順次形成する。p型キャップ層110上にSiO2ストライプ113を形成した後、これをマスクとして、p型第2クラッド層108、p型中間層109、p型キャップ層110を、p型エッチングストップ層106に至るまでSiCl4とArの混合ガスを用いて誘導結合型プラズマによるドライエッチングし、リッジ型ストライプを形成する。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：提供一种适用于记录光盘等的半导体激光器，具有高扭结光学水平和低工作电流的高输出，并提供其制造方法。 ŽSOLUTION：n型覆层103，GaAs有源层104，p型第一覆层105，p型AlInP蚀刻停止层106，p型（Al 0.5 Ga 0.5 ） 0.5 在 0.5 P中形成第二包层108，p型中间层109和p型盖层110。依次形成n型GaAs衬底102。在p型盖层110上形成SiO 2 条带113后，将其用作掩模;利用SiCl 4 的混合气体，通过感应耦合等离子体对p型第二包层108，p型中间层109和p型盖层110进行干法蚀刻。 Ar直到蚀刻到达p型蚀刻停止层106，从而形成脊型条纹。 Ž
申请日期	2005-03-31
专利号	JP2006286761A
专利状态	失效
申请号	JP2005102202
公开（公告）号	JP2006286761A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/343 \| H01S5/00
专利代理人	岩橋文雄 \| 内藤浩樹 \| 永野大介
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88542
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	パナソニック株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	細井浩行,牧田幸治,鹿嶋孝之. 半導体レーザ及びその製造方法. JP2006286761A[P]. 2006-10-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2006286761A.PDF（107KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文