Buried type semiconductor laser device

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	Buried type semiconductor laser device
其他题名	Buried type semiconductor laser device
	HIRAYAMA YUUZOU; UEMATSU YUTAKA
	1985-04-24
专利权人	TOSHIBA KK
公开日期	1985-04-24
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To enable to obtain the titled device of a low threshold value having lees current leakage by contriving the optimization of the carrier concentration of each layer. CONSTITUTION:An N-InP buffer layer 2 (with a carrier concentration of 1X 10-1X10cm), a GaInAsP active layer 3, a P-InP clad layer 4, and a P- GaInAsP ohmic contact layer 5 are successively grown on an N type InP substrate 1, thus obtaining a wafer of double hetero structure. Next, a stripe-form SiO2 film is formed, and a reverse mesa stripe is obtained by etching with the film as a mask. Then, the reverse mesa is buried, and a P-InP buried layer 6 and an N-InP buried layer 7 are formed. In this case, the carrier concentration or the layer 6 is set at 2X10-1X10cm, and that of the layer 7 at 2X 10cm-1X10cm. Thereby, the p type impurity of the layer 6 diffuses sufficiently, an excellent P-N junction being formed, and the leakage of current then reducing; accordingly sufficient low threshold oscillation is enabled.
其他摘要	目的：通过设计每层载流子浓度的优化，使得能够获得具有漏电流泄漏的低阈值的标题器件。组成：N-InP缓冲层2（载流子浓度为1×10 16 -1×10 18 cm -3），GaInAsP有源层3，P-InP包层4和P- GaInAsP欧姆接触层5在N型InP衬底1上连续生长，从而获得双异质结构的晶片。接下来，形成条形SiO2膜，并通过以膜作为掩模进行蚀刻来获得反向台面条。然后，掩埋反向台面，并形成P-InP掩埋层6和N-InP掩埋层7。在这种情况下，载流子浓度或层6设定为2×10 18 -1×10 19 cm -3，层7的载流子浓度或层6设定为2×10 16 cm -3 -1×10 厘米。由此，层6的p型杂质充分扩散，形成优异的P-N结，然后电流泄漏减少;因此，启用了足够的低阈值振荡。
申请日期	1983-09-29
专利号	JP1985072285A
专利状态	失效
申请号	JP1983179144
公开（公告）号	JP1985072285A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/227 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88533
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TOSHIBA KK
推荐引用方式 GB/T 7714	HIRAYAMA YUUZOU,UEMATSU YUTAKA. Buried type semiconductor laser device. JP1985072285A[P]. 1985-04-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1985072285A.PDF（151KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文