Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 多重量子井戸半導体レーザ | |
| 其他题名 | 多重量子井戸半導体レーザ |
| 山内 英樹 | |
| 1999-07-23 | |
| 专利权人 | 三洋電機株式会社 |
| 公开日期 | 1999-10-06 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 多重量子井戸構造を有する光活性層を備えた半導体レーザにおいて、発生する量子準位による微分利得の低下を抑制し得る半導体レーザを提供することを目的とする。 【構成】 光活性層内で形成される量子準位を、相隣接する量子準位の遷移エネルギー(E1,E2及びE3)の差を4meV以下とすることにある。 |
| 其他摘要 | 本发明的一个目的是提供一种半导体激光器，其能够抑制由具有多量子阱结构的光活性层的半导体激光器中产生的量子能级引起的差分增益的减小。 在光活性层中形成的量子能级被设定为使相邻量子能级的跃迁能量（E1，E2和E3）之间的差异为4meV或更小。 |
| 申请日期 | 1991-06-12 |
| 专利号 | JP2957755B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991140068 |
| 公开（公告）号 | JP2957755B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/343 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 安富 耕二 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88406 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山内 英樹. 多重量子井戸半導体レーザ. JP2957755B2[P]. 1999-07-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2957755B2.PDF（39KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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