半導体レーザ装置の製造方法、及びそれを用いて製造した光モジュール並びに光応用システム

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	半導体レーザ装置の製造方法、及びそれを用いて製造した光モジュール並びに光応用システム
其他题名	半導体レーザ装置の製造方法、及びそれを用いて製造した光モジュール並びに光応用システム
	篠田和典; 内野正市; 青木雅博
	1999-04-23
专利权人	HITACHI LTD
公开日期	1999-04-23
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】本発明は回折格子を有する半導体レーザ装置の製造方法に関し、特に量産性再現性に優れた位相シフト型回折格子を有する半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】レーザ干渉露光法において、現像液を変えることでポジ型としてもネガ型としても機能し得るレジストを用いることにより、途中で位相の反転する回折格子の量産性·再現性に優れた製造方法を開示する。【効果】容易な手法で単一モード発振歩留まりの高い分布帰還型半導体レーザを実現できる。
其他摘要	要解决的问题：通过在第一显影剂的显影中使用抗蚀剂起作用，但在半导体区域中用第二显影剂形成衍射时起负面作用的抗蚀剂，以提高单模选择性优异的相移型元件的再现性和高体积生产率光栅。解决方案：用基于聚氧羰基 - 苯乙烯（PBOCST）的抗蚀剂2旋涂n型InP衬底1 100nm。然后通过He-Cd激光器3对其进行干涉曝光，以获得曝光图案，其中曝光部分和未曝光部分5以200nm的周期周期性地排列。然后用硅衬底的荫罩6涂覆暴露的抗蚀剂的一部分，并用碱性水溶液7进行喷射显影。随后，暴露的部分4溶解以留下未曝光的部分，并且显影的部分受到保护。用苯甲醚8进行喷涂显影前的荫罩6.根据该方法，可以将具有反相和负相的抗蚀剂图案转印到InP基板的表面上。
申请日期	1997-10-03
专利号	JP1999112105A
专利状态	失效
申请号	JP1997270797
公开（公告）号	JP1999112105A
IPC 分类号	F02C6/18 \| A01N37/18 \| A01N43/40 \| F22B1/18 \| H01S5/00 \| A01N65/22 \| A01N31/06 \| A01N35/06 \| F02C6/00 \| A01N25/28 \| F02C7/224 \| A01N65/00 \| A01N65/38 \| A01N25/18 \| F01K23/10 \| A01N25/08 \| A01N25/04 \| A01N25/06 \| A01N25/10 \| A01N37/40 \| H01L21/027 \| H01S3/18
专利代理人	小川勝男
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88397
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	篠田和典,内野正市,青木雅博. 半導体レーザ装置の製造方法、及びそれを用いて製造した光モジュール並びに光応用システム. JP1999112105A[P]. 1999-04-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999112105A.PDF（59KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文