Method of growing compound semiconductor layer

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	Method of growing compound semiconductor layer
其他题名	Method of growing compound semiconductor layer
	HIROTAKA, KIZUKI; YASUTOMO, KAJIKAWA
	1996-07-10
专利权人	MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
公开日期	1996-07-10
授权国家	英国
专利类型	发明申请
摘要	The method includes epitaxially growing a III-V group compound semiconductor layer 2 including nitrogen (N) for group V element on a front surface of a semiconductor substrate 1 comprising cadmium telluride (CdTe). Therefore, the crystal lattices of the III-V group compound semiconductor layer 2 are lattice-matched with the crystal lattices of the CdTe semiconductor substrate 1 at a prescribed period, whereby the III-V group compound semiconductor layer 2 is epitaxially grown with high crystalline quality. The layer 2 is grown by MOCVD, MBE, GSMBE, CBE, VPE or ALE and may be used in a laser.
其他摘要	该方法包括在包括碲化镉（CdTe）的半导体衬底1的前表面上外延生长包括用于V族元素的氮（N）的III-V族化合物半导体层2。因此，III-V族化合物半导体层2的晶格以规定的周期与CdTe半导体衬底1的晶格晶格匹配，从而III-V族化合物半导体层2以高结晶外延生长。质量。层2通过MOCVD，MBE，GSMBE，CBE，VPE或ALE生长，并且可以用于激光器中。
申请日期	1995-12-15
专利号	GB2296816A
专利状态	失效
申请号	GB1995025678
公开（公告）号	GB2296816A
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01L21/20 \| H01L21/02 \| C30B \| C30B29/38 \| C30B29/48 \| H01L21/203 \| H01L21/205 \| H01L33/12 \| H01L33/16 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01S5/323 \| C23C16/22
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88337
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
推荐引用方式 GB/T 7714	HIROTAKA, KIZUKI,YASUTOMO, KAJIKAWA. Method of growing compound semiconductor layer. GB2296816A[P]. 1996-07-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
GB2296816A.PDF（1271KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文