Semiconductor laser and method for manufacturing the same

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Semiconductor laser and method for manufacturing the same
其他题名	Semiconductor laser and method for manufacturing the same
	UCHIDA, SATOSHI, C/O ROHM CO.,LTD.; MATAKI, HIROSHI, C/O ROHM CO.,LTD.
	1995-12-27
专利权人	ROHM CO., LTD.
公开日期	1995-12-27
授权国家	欧洲专利局
专利类型	发明申请
摘要	A semiconductor laser comprising an active layer having a light-emitting region of striped structure, a cladding layer formed on the active layer, another cladding layer formed under the active layer, the active layer being interposed between the cladding layer and the another cladding layer, facets formed on both ends of a stripe of the light-emitting region in which a part of light emitted is radiated, remaining light is refelected and amplifying the remaining light, wherein the semiconductor laser includes a means for having a minimum value of a coherence in a range between 2 mW and 7 mW of output of a light radiated from one of the facet which is a light output, and for preventing a phenomenon in which the output is reduced in a range at most 25 mW in accordance with an increase of the current, varied by a variation of a current applied to the active layer.
其他摘要	一种半导体激光器，包括具有条纹结构的发光区域的有源层，形成在有源层上的包层，形成在有源层下面的另一个包层，有源层插入在包层和另一个包层之间，在发光区域的条纹的两端形成的小平面，其中发射的光的一部分被照射，剩余的光被反射并放大剩余的光，其中半导体激光器包括用于具有最小的相干值的装置。从作为光输出的一个面辐射的光的输出的范围在2mW和7mW之间，并且用于防止输出在至多25mW的范围内减小的现象随着电流随施加到有源层的电流的变化而变化。
申请日期	1995-02-09
专利号	EP0667661A3
专利状态	失效
申请号	EP1995101759
公开（公告）号	EP0667661A3
IPC 分类号	G11B7/125 \| H01S5/00 \| H01S5/02 \| H01S5/028 \| H01S5/042 \| H01S5/068 \| H01S5/20 \| H01S5/223 \| H01S3/19 \| H01S3/025
专利代理人	-
代理机构	TIEDTKE, HARRO, DIPL.-ING.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88324
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ROHM CO., LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	UCHIDA, SATOSHI, C/O ROHM CO.,LTD.,MATAKI, HIROSHI, C/O ROHM CO.,LTD.. Semiconductor laser and method for manufacturing the same. EP0667661A3[P]. 1995-12-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
EP0667661A3.PDF（175KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文