Method of producing multiple wavelength semiconductor laser

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	Method of producing multiple wavelength semiconductor laser
其他题名	Method of producing multiple wavelength semiconductor laser
	NAGAI YUTAKA
	1992-05-12
专利权人	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
公开日期	1992-05-12
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To easily realize a multiple wavelength LD by utilizing difference of band gap energy, namely difference of laser oscillation wavelength due to difference of the degrees of mutual diffusion in the quantum well layer at the time of annealing in such a case that SiO2 films are formed in difference thickness. CONSTITUTION:With the epitaxial growth method, n-Al0.5Ga0.5As clad layer 2, quantum well layer 3, F-Al0.5Ga0.5As clad layer 4 and P-GaAs contact layer 5 are formed in this sequence on a nGaAs substrate After the growth, a SiO2 film 6 is formed on the contact layer 5. The striped grooves in different depth and thickness d1, d2, d3 are formed on this SiO2 film 6. A wafer under this condition is heated by the rapid thermal annealing. In this case, mutual diffusion is generated in the quantum well layer 3 proportional to the thickness d1, d2, d3 of the SiO2 film 6 formed at the upper side. As a result, in the quantum well layer 4 just under the groove, the energy is changed to the band gap energy respectively generating laser oscillation wavelengths of lambda1, lambda2, lambda3 in the laser oscillation regions 9, 10, 1
其他摘要	目的：利用带隙能量的差异，即在退火时由于量子阱层中相互扩散程度的差异引起的激光振荡波长的差异，在SiO2膜是这样的情况下，容易实现多波长LD形成不同的厚度。组成：采用外延生长方法，n + Al0.5Ga0.5As包层2，量子阱层3，F-Al0.5Ga0.5As包层4和P-GaAs接触层5按此序列形成 GaAs衬底生长之后，在接触层5上形成SiO2膜6.在该SiO2膜6上形成不同深度和厚度d1，d2，d3的条纹槽。在这种条件下的晶片被加热。快速热退火。在这种情况下，在量子阱层3中产生与在上侧形成的SiO2膜6的厚度d1，d2，d3成比例的相互扩散。结果，在凹槽正下方的量子阱层4中，能量变为带隙能量，分别在激光振荡区域9,10,11中产生λ1，λ2，λ3的激光振荡波长。
申请日期	1990-09-28
专利号	JP1992137780A
专利状态	失效
申请号	JP1990261039
公开（公告）号	JP1992137780A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01S5/40 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88201
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	NAGAI YUTAKA. Method of producing multiple wavelength semiconductor laser. JP1992137780A[P]. 1992-05-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1992137780A.PDF（179KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文