Semiconductor laser

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	Semiconductor laser
其他题名	Semiconductor laser
	NUMAI TAKAAKI
	1989-03-28
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	1989-03-28
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To form a semiconductor laser which operates in a stable single axial mode to be able to modulate at a high speed with low threshold and high efficiency by forming a groove by etching between a window region and a region except the window region, and forming an insulating layer by proton or ion implanting. CONSTITUTION:A lambda/4 shift diffraction grating having 2400Angstrom of period is formed by an interference exposure method employing a phase shifting film on an N-type InP substrate 110. Then, in a first LPE growth, a nondoped InGaAsP optical guide layer 120, an N-type InP buffer layer 130, a nondoped active layer 140, and a P-type InP clad layer 150 are sequentially grown. Then, after it is etched to form a buried structure and a window structure, a buried growth is conducted by second LPE growth, thereby forming a window structure. Eventually, after electrodes are formed on a substrate side and a grown layer side, a groove 500 is formed except the vicinity of a central mesa between the region 100 and an active region 200. Thereafter, SiNx films 300 are formed on both end faces.
其他摘要	目的：通过在窗口区域和窗口区域以外的区域之间形成凹槽，形成半导体激光器，以稳定的单轴模式工作，能够以低阈值和高效率高速调制，并形成通过质子或离子注入的绝缘层。组成：通过在N型InP基板110上采用相移膜的干涉曝光方法形成具有2400埃周期的λ/ 4偏移衍射光栅。然后，在第一LPE生长中，未掺杂的InGaAsP光导层120，依次生长N型InP缓冲层130，非掺杂有源层140和P型InP包覆层150。然后，在蚀刻以形成掩埋结构和窗口结构之后，通过第二LPE生长进行掩埋生长，从而形成窗口结构。最后，在基板侧和生长层侧上形成电极之后，形成除了区域100和有源区200之间的中央台面附近之外的沟槽500.之后，在两个端面上形成SiNx膜300。
申请日期	1987-09-25
专利号	JP1989082687A
专利状态	失效
申请号	JP1987242124
公开（公告）号	JP1989082687A
IPC 分类号	H01S3/02 \| H01S3/06 \| H01S3/08 \| H01S3/098 \| H01S5/00 \| H01S5/02 \| H01S5/10 \| H01S5/12 \| H01S5/16 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88165
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	NUMAI TAKAAKI. Semiconductor laser. JP1989082687A[P]. 1989-03-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2723522B2.PDF（31KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文