半導体光機能素子およびその製造方法

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	半導体光機能素子およびその製造方法
其他题名	半導体光機能素子およびその製造方法
	吉本直人; 東盛裕一; 赤淵忠之
	2000-02-18
专利权人	日本電信電話株式会社
公开日期	2000-02-18
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】半絶縁性基板を用いた場合のスポットサイズ変換のモード非対称性を是正し、ファイバとの結合特性を向上させる。【解決手段】半絶縁性基板(基板1)と、第1の導電型を有する第1のクラッド層(多重クラッド層2)と、この多重クラッド層2よりも屈折率が大きい活性層10と、この活性層10よりも屈折率が小さくかつ第2の導電型を有する第2のクラッド層6と、第2の導電型を有するコンタクト層7とが順次積層された半導体光機能素子において、多重クラッド層2は、多層構造をなし、この多層構造は、屈折率の異なる層が隣り合うように積層されて構成されている。さらに、多重クラッド層2の屈折率の平均は、基板1の屈折率と等しいかまたはそれ以上である。
其他摘要	要解决的问题：在使用半绝缘基板的情况下校正光斑尺寸转换的模式不对称，并改善与光纤的连接特性。解决方案：在半导体光学功能元件中，半绝缘基板（基板1），第一包层（多层包层2）具有第一导电类型，有源层的折射率大于第一导电类型的有源层。多层包层2，折射率小于具有第二导电类型的有源层的第二包层6和具有第二导电类型的接触层7依次层叠，多层包层2形成多层结构，并且通过层叠不同折射率的层以使它们彼此相邻来构成多层结构。此外，多覆层2的折射率的平均值等于或大于衬底1的折射率。
申请日期	1998-07-31
专利号	JP2000049420A
专利状态	失效
申请号	JP1998216992
公开（公告）号	JP2000049420A
IPC 分类号	H01S5/30 \| H01S5/343 \| H01L27/146 \| H01L27/15 \| H01S5/00
专利代理人	山川政樹
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88081
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電信電話株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	吉本直人,東盛裕一,赤淵忠之. 半導体光機能素子およびその製造方法. JP2000049420A[P]. 2000-02-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000049420A.PDF（36KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文