Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| レーザダイオード素子 | |
| 其他题名 | レーザダイオード素子 |
| 田中 宏和 | |
| 1993-12-24 | |
| 专利权人 | TOSHIBA CORP |
| 公开日期 | 1993-12-24 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】リッジ状領域の形状を左右非対称にしたり、共振器端面が光軸に対して傾いたりすることなく活性層結晶を無秩序化した、より短い発振波長のレーザダイオードを提供すること。 【構成】(100)結晶表面に方向に平行な均等幅の複数のストライプ溝が穿たれたGaAs結晶の半導体基板上に、基板形状を反映する形状をなすN型クラッド層が形成されていることを特徴とするレーザダイオード素子において、このN型クラッド層と活性層の界面で結晶が無秩序化されており、活性層のバンドギャップが通常の(100)結晶表面上に形成された活性層のバンドギャップよりも大きいことを特徴とするレーザダイオード素子。 |
| 其他摘要 | 目的：如在使用倾斜基板的情况下使有源层的晶体无序，并通过在N之间的界面中反映基板的形状来形成具有大带隙的短波长激光二极管类型包层和有源层，两者都形成在基板上形成的多个条纹槽上。组成：光致抗蚀剂涂在具有（100）表面主平面的N型GaAs衬底1上。然后，使用双光束干涉对准器，形成衍射光栅。接下来，在基板上形成格栅状凹槽2。通过MOCVD使晶体生长，形成在基板上的格栅状沟槽2的形状在N型覆盖层3和有源层4之间的界面中反射。在有源层上形成的有源层的晶体。凹槽2像在连续倾斜面上形成的晶体一样无序，并且其带隙大于在（100）晶体表面上形成的晶体。 |
| 申请日期 | 1992-06-05 |
| 专利号 | JP1993343791A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992145210 |
| 公开（公告）号 | JP1993343791A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 則近 憲佑 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88067 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 宏和. レーザダイオード素子. JP1993343791A[P]. 1993-12-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993343791A.PDF（75KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [田中 宏和]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [田中 宏和]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [田中 宏和]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论