半導体レーザ素子及びその設計方法

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	半導体レーザ素子及びその設計方法
其他题名	半導体レーザ素子及びその設計方法
	林伸彦; 井手大輔; 茨木晃
	1998-06-09
专利权人	三洋電機株式会社
公开日期	1998-06-09
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】基本横モード発振で高光出力が可能な半導体レーザを提供することを目的とする。【解決手段】第1導電型のクラッド層3と、活性層6と、第2導電型のクラッド層8、10と、電流通路を制限すると共に電流通路を形成する所定幅のストライプ状開口部を有し且つ第2導電型のクラッド層8、10よりバンドギャップが大きい電流ブロック層13、14と、を備える。活性層における開口部に対応する領域の実効屈折率と活性層における開口部の両側に対応する領域の実効屈折率の差Δn及び開口部の幅Wが所定の関係を満足するように設定される。実効屈折率の差Δnは、電流ブロック層のAl組成比及び第2導電型のクラッド層の開口部の両側部分での厚さを選択することにより設定される。
其他摘要	要解决的问题：提供一种能够通过基本横向模式振荡实现高光输出的半导体激光器。解决方案：第一导电类型的包层3，有源层6，第二导电类型的包层8和10，以及具有预定宽度的条形开口，用于限制电流路径并形成电流路径并且电流阻挡层的带隙大于第二导电型包层的带隙。对应于有源层中的开口的区域的有效折射率与对应于有源层中的开口的两侧的区域的有效折射率与开口的宽度W之间的差Δn被设定为满足预定关系。。通过选择电流阻挡层的Al组分比和第二导电型包层的开口两侧的厚度来设定有效折射率差Δn。
申请日期	1997-03-27
专利号	JP1998154847A
专利状态	失效
申请号	JP1997076190
公开（公告）号	JP1998154847A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	安富耕二 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88040
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三洋電機株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	林伸彦,井手大輔,茨木晃. 半導体レーザ素子及びその設計方法. JP1998154847A[P]. 1998-06-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998154847A.PDF（113KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文