Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 塚本 弘範; 樋江井 太 | |
| 1997-06-20 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 1997-06-20 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 活性層と基板との間の格子歪みに起因する点欠陥が少なく長寿命かつ高信頼性のII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 n型GaAs基板1上に、n型ZnSeバッファ層2を介してn型ZnMgSSeクラッド層3、n型ZnSSe光導波層4、Zn1-x CdxOy S1-y 活性層5、p型ZnSSe光導波層6、p型ZnMgSSeクラッド層7、p型ZnSeコンタクト層8、p型ZnSe/ZnTe多重量子井戸層9およびp型ZnTeコンタクト層10を順次積層してレーザー構造を形成する。これらの層のうち、少なくともZn1-x Cdx Oy S1-y 活性層5の格子定数をn型GaAs基板1の格子定数とほぼ一致させる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供使用长寿命且高度可靠的II-VI化合物半导体的半导体发光器件，其具有由有源层和衬底之间的晶格畸变引起的较少的点缺陷。 解决方案：n型ZnMgSSe包层3，n型ZnSSe光波导层4和Zn 1-x Cd n经由n型ZnSe缓冲层2插入在n型GaAs衬底1上。 > x O y S 1-y 有源层5，p型ZnSSe光波导层6，p型ZnMgSSe包层7，p型ZnSe接触层依次堆叠p型ZnSe / ZnTe多量子阱层9和p型ZnTe接触层10以形成激光器结构。在这些层中，至少Zn 1-x Cd x O y S 1-y 活性层5晶格常数的晶格常数与n型GaAs衬底1的晶格常数大致一致。 |
| 申请日期 | 1995-12-12 |
| 专利号 | JP1997162500A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995346399 |
| 公开（公告）号 | JP1997162500A |
| IPC 分类号 | H01L33/12 | H01L33/06 | H01L33/30 | H01L33/14 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 杉浦 正知 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87939 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 塚本 弘範,樋江井 太. 半導体発光素子. JP1997162500A[P]. 1997-06-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997162500A.PDF（41KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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