Semiconductor laser device and manufacture thereof

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	Semiconductor laser device and manufacture thereof
其他题名	Semiconductor laser device and manufacture thereof
	OKUDA HAJIME; ISHIKAWA MASAYUKI; SHIOZAWA HIDEO
	1990-08-15
专利权人	株式会社東芝
公开日期	1990-08-15
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To simplify the structure of the lateral-mode controlled InGaA P semiconductor laser of the title device and improve the yield of the laser by incorporating a diffraction grating in the laser. CONSTITUTION:An n-GaAs substrate 10, n-In0.5(Ga0.3A0.7)0.5P clad layer 11, non- doped lnGaP active layer 12, p-In0.5(Ga0.7A0.3)0.5P optical waveguide layer 13, current blocking layer 14, p-In0.5(Ga0.3A0.7)0.5P clad layer 15, p-GaAs contact layer 16, and diffraction grating 17 are provided. Since the built in diffraction grating 17 amplifies only rays of light in the direction of a resonator, a lateral- mode controlled laser which stably oscillates in a single longitudinal mode can be obtained. Therefore, a laser which is simple in structure and has good characteristics can be obtained in high yield.
其他摘要	目的：简化标题装置的横模控制InGaA P半导体激光器的结构，并通过在激光器中加入衍射光栅来提高激光器的产量。组成：n-GaAs衬底10，n-In0.5（Ga0.3A0.7）0.5P覆层11，非掺杂lnGaP有源层12，p-In0.5（Ga0.7A0.3）0.5P光学提供波导层13，电流阻挡层14，p-In0.5（Ga0.3A0.7）0.5P包层15，p-GaAs接触层16和衍射光栅17。由于内置衍射光栅17仅在谐振器的方向上放大光线，因此可以获得以单纵模稳定振荡的横向模式控制激光器。因此，可以以高产率获得结构简单且具有良好特性的激光器。
申请日期	1989-02-06
专利号	JP1990206191A
专利状态	失效
申请号	JP1989025717
公开（公告）号	JP1990206191A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/12 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87925
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社東芝
推荐引用方式 GB/T 7714	OKUDA HAJIME,ISHIKAWA MASAYUKI,SHIOZAWA HIDEO. Semiconductor laser device and manufacture thereof. JP1990206191A[P]. 1990-08-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1990206191A.PDF（299KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文