Semiconductor laser

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	Semiconductor laser
其他题名	Semiconductor laser
	SAKIYAMA HAJIME; TANAKA HARUO; MUSHIGAMI MASAHITO
	1990-08-01
专利权人	ROHM CO LTD
公开日期	1990-08-01
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To reduce threshold current and improve current efficiency by forming an N-type or an undoped layer between a first upper-part clad layer constituting a first growth layer and a light-absorbing layer and by forming a P-type dopant implantation part at this stripe groove corresponding part. CONSTITUTION:A lower-part clad layer 21, an active layer 22, a first upper-part clad layer 23, and an N-type or an undoped layer 23a. a light-absorbing layer 24, and an evaporation prevention layer 25 are laminated in sequence and a first growth layer 2 is formed on a semiconductor substrate. An evaporation- prevention layer 25 other than an area for forming a stripe groove 3 is covered with a photo resist 6 and an evaporation-prevention layer 25 and the light- absorbing layer 24 are etched for leaving the light-absorbing layer 24 slightly, thus forming the stripe groove 3 of any width. Then, ion is allowed to hit against and is implanted into the surface of the N-type layer (or undoped layer) 23a. thus forming a P-type dopant ion implantation part 6 at a part corresponding to the stripe groove 3 of the N-type layer (or undoped layer) 23a.
其他摘要	用途：通过在构成第一生长层的第一上部包层和光吸收层之间形成N型或未掺杂层，并在下面形成P型掺杂剂注入部分，来降低阈值电流并提高电流效率这条纹槽对应的部分。组成：下部包层21，有源层22，第一上部包层23，和N型或未掺杂层23a。依次层叠光吸收层24和蒸发防止层25，并在半导体衬底上形成第一生长层2。除了用于形成条纹槽3的区域之外的蒸发防止层25被光致抗蚀剂6和防蒸发层25覆盖，并且光吸收层24被蚀刻以稍微留下光吸收层24，因此形成任何宽度的条纹槽3。然后，允许离子撞击并注入到N型层（或未掺杂层）23a的表面中。从而在对应于N型层（或未掺杂层）23a的条纹沟槽3的部分处形成P型掺杂剂离子注入部分6。
申请日期	1989-01-23
专利号	JP1990194584A
专利状态	失效
申请号	JP1989013681
公开（公告）号	JP1990194584A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87893
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ROHM CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	SAKIYAMA HAJIME,TANAKA HARUO,MUSHIGAMI MASAHITO. Semiconductor laser. JP1990194584A[P]. 1990-08-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1990194584A.PDF（313KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文