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高耦合效率纳米孔径激光器
其他题名高耦合效率纳米孔径激光器
周飞; 徐文东; 干福熹
2005-05-11
专利权人中国科学院上海光学精密机械研究所
公开日期2005-05-11
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种高耦合效率纳米孔径激光器,包括一半导体固体激光器,镀于该半导体固体激光器出射面上的金属膜层,特征在于在该金属膜层上有激光出射的纳米尺度小孔,在该纳米尺度小孔内充满有折射率特定分布的介质材料。本发明利用近场光学的局域场增强效应,使纳米孔径附近的光场重新分布,使原本在孔径尺寸之外的能量通过了纳米孔径,导致孔径的通光效率远远大于1。
其他摘要一种高耦合效率纳米孔径激光器,包括一半导体固体激光器,镀于该半导体固体激光器出射面上的金属膜层,特征在于在该金属膜层上有激光出射的纳米尺度小孔,在该纳米尺度小孔内充满有折射率特定分布的介质材料。本发明利用近场光学的局域场增强效应,使纳米孔径附近的光场重新分布,使原本在孔径尺寸之外的能量通过了纳米孔径,导致孔径的通光效率远远大于1。
申请日期2004-11-26
专利号CN1614834A
专利状态失效
申请号CN200410084634.6
公开(公告)号CN1614834A
IPC 分类号H01S5/00 | H01S5/02
专利代理人张泽纯
代理机构上海新天专利代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87875
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院上海光学精密机械研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
周飞,徐文东,干福熹. 高耦合效率纳米孔径激光器. CN1614834A[P]. 2005-05-11.
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CN1614834A.PDF(466KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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