Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 面発光レーザ | |
| 其他题名 | 面発光レーザ |
| 小濱 剛孝; 天野 主税 | |
| 1993-06-11 | |
| 专利权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 公开日期 | 1993-06-11 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 素子抵抗が極めて低く、しかも三端子構造を作製する上で簡便かつ歩留まり向上となる面発光レーザを提供する。 【構成】 面発光レーザの光共振器を構成する第一および第二の光反射層のいずれかを(AlXGa1-X)0.48In0.52P/AsYGa1-YAs(0≦x≦1,0≦y≦1)から構成した。 |
| 其他摘要 | 目的：通过使半导体光反射层具有特定组成来提高产率。结构：在主表面上依次层叠第一半导体光反射层3，AlGaAs包层4，AlGaAs / GaAs超晶格层（有源层），AlGaAs腔层6和第二半导体光反射层7因此，通过第一和第二光反射层3和7形成光谐振器，以使从有源层5发射的光能够振荡以发射激光。在这种情况下，第一和第二半导体光反射层3和7的关系为（Al x Ga 1-x）0.48 In 0.52 P / Al y Ga 1-y As（0 <= x <= 1,0 <= y <= 1）。结果，元件电阻非常低，这对于制造三端子结构等是方便的，并且有助于提高产量。 |
| 申请日期 | 1991-11-18 |
| 专利号 | JP1993145170A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991301932 |
| 公开（公告）号 | JP1993145170A |
| IPC 分类号 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 谷 義一 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87861 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小濱 剛孝,天野 主税. 面発光レーザ. JP1993145170A[P]. 1993-06-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993145170A.PDF（30KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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