Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 大町 修 | |
| 2006-11-02 | |
| 专利权人 | VICTOR CO OF JAPAN LTD |
| 公开日期 | 2006-11-02 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 レーザ特性がばらつくことなく、CODを発生させない、高出力の半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 共振器面A,B近傍部において、エッチングストップ層が十分なエッチング耐性を有する条件で、エッチングストップ層6側から基板1に向かって第1導電型クラッド層3の途中までの領域に、不純物を選択的に拡散する第1アニール工程と、エッチングストップ層6の表面にリッジ11をエッチングにより形成する工程と、この拡散された不純物をさらに拡散させて不純物拡散領域の活性層4を十分に無秩序化させる第2アニール工程とを有する。 【選択図】図6 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种高输出的半导体激光元件的制造方法，该方法在不产生激光特性的情况下不产生COD。 ŽSOLUTION：制造方法包括在蚀刻停止层具有的条件下，选择性地将从蚀刻停止层6侧朝向基板1的区域中的杂质扩散到第一导电类型包层3的中间的第一退火工艺。谐振器表面A和B附近有足够的抗蚀刻性;通过蚀刻在蚀刻停止层6的表面上形成脊11的工艺;第二退火工艺是进一步扩散扩散的杂质，并使杂质扩散区的有源层4充分混乱。 Ž |
| 申请日期 | 2005-04-21 |
| 专利号 | JP2006303211A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2005123296 |
| 公开（公告）号 | JP2006303211A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87833 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | VICTOR CO OF JAPAN LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大町 修. 半導体レーザ素子の製造方法. JP2006303211A[P]. 2006-11-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2006303211A.PDF（231KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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