Semiconductor light-emitting device

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	Semiconductor light-emitting device
其他题名	Semiconductor light-emitting device
	SHIMOYAMA, KENJI; FUJII, KATSUSHI; NAGAO, SATORU; GOTO, HIDEKI
	2000-02-08
专利权人	MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION
公开日期	2000-02-08
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A semiconductor light-emitting device comprising a substrate having thereon: a first conductive type first clad layer; an active layer; a second conductive type first clad layer having a stripe region to which a current is injected and the remaining region; a ridge portion comprising: a ridge-shape second conductive type second clad layer formed on the stripe region of the second conductive type first clad layer; a second conductive type contact layer formed on the ridge-shape second conductive type second clad layer; and a protective film formed on the second conductive type first clad layer to cover the remaining region thereof, wherein a part of the second conductive type second clad layer is formed on said protective film, or wherein said contact layer is formed on a substantially whole surface area of said second conductive type second clad layer, or wherein said ridge portion has no protective layer on the side surface thereof.
其他摘要	一种半导体发光器件，包括其上具有的基板：第一导电型第一包层;活动层;第二导电型第一包层，具有注入电流的条纹区域和其余区域;脊部分，包括：脊形第二导电型第二覆层，形成在第二导电型第一覆层的条形区域上;第二导电型接触层形成在脊状第二导电型第二包层上;保护膜形成在第二导电型第一覆层上以覆盖其余区域，其中第二导电型第二覆层的一部分形成在所述保护膜上，或者其中所述接触层形成在基本上整个表面上所述第二导电型第二覆层的面积，或者其中所述脊部在其侧表面上没有保护层。
申请日期	1998-03-26
专利号	US6023483
专利状态	失效
申请号	US09/048183
公开（公告）号	US6023483
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/223 \| H01S3/19
专利代理人	-
代理机构	ARMSTRONG,WESTERMAN,HATTORI,MCLELAND & NAUGHTON
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87777
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	SHIMOYAMA, KENJI,FUJII, KATSUSHI,NAGAO, SATORU,et al. Semiconductor light-emitting device. US6023483[P]. 2000-02-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6023483.PDF（161KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文